Fairchild bringt die erste 1200-V Siliziumkarbid-Diode (SiC) einer neuen Bauserie künftiger SiC-Lösungen auf den Markt. Die 1200-V Diode mit der Typenbezeichnung FFSH40120ADN ist besonders für den Einsatz in Solar-Invertern, industriellen Motorsteuerungen und Schweißanlagen der nächsten Generation geeignet, in denen immer höhere Wirkungsgrade bei gleichzeitig größerer Leistungsdichte gefordert wird.

Die Diode FFSH40120ADN soll "die beste Leckstrom-Performance ihrer Klasse" aufweisen.

Die Diode FFSH40120ADN soll „die beste Leckstrom-Performance ihrer Klasse“ aufweisen. Fairchild

Die Diode FFSH40120ADN soll nach Angaben von Fairchild „die beste Leckstrom-Performance ihrer Klasse“ aufweisen , mit sehr viel geringerem Leckstrom im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten“ – und das bei Temperaturen bis herauf zu 175 °C.  Zu den entscheidenden Vorteilen dieser SiC-Diode soll ihr besonders schnelles Schaltverhalten ohne Rückstrom (no reverse recovery) zählen, aber gegenüber der Presse hat Fairchild keinerlei Zahlen herausgegeben.  Schnelles Schalten reduziert bekanntlich die Schaltverluste im Vergleich zu Silizium, was wiederum dem Wirkungsgrad entscheidend verbessert, während die Systemhersteller gleichzeitig kompaktere induktive Bauelemente sowie kleinere andere passive Komponenten einsetzen können. Fairchild behaupt, dass die neue Diode ein stabiles Schaltverhalten über einen weiten Temperaturbereich aufweist, hat aber der Presse noch keine Fakten hierzu geliefert.  Weil die Durchbruchsfeldstärke von SiC um den Faktor 10 höher liegt als bei Silizium, sind die SiC-Bauteile auch erheblich robuster und zuverlässiger als Silizium-Bauelemente – und das bei besserer thermischer Leitfähigkeit.