Die Roadmap der SiC-MOSFETs wird laufend erweitert.

Die Roadmap der SiC-MOSFETs wird laufend erweitert.Eurocomp

Mit den angekündigten SiC-Leistungs-MOSFETs stehen jetzt Wide-Band-Gap-MOSFETs für erste Designs von 700 V/70 A (140 A in Vorbereitung) bis 1200 V/80 A beziehungsweise 1700 V/5 A zur Verfügung. Ihr Einsatz führt zu höherer Systemeffizienz und ermöglicht höhere Schaltfrequenzen. Auch bei den SiC-Typen wurde durch Weiterentwicklung der seit 30 Jahren bestehenden Source-Fingerstruktur (APT) die Avalanche-Festigkeit wesentlich erhöht. Durch den geringen Rdson, die hohe zulässige Betriebsspannung und die hohe Stromtragfähigkeit (sowohl kontinuierlich wie bei Spitzenstrom) ist der sichere Arbeitsbereich (SOA) wesentlich erweitert. Zu erwähnen bleibt noch die hohe Kurzschlussfestigkeit von zum Beispiel 8,5 µs beim 80 mΩ Typ APT 40SM120B.