Infineon Technologies kündigte für seine neue Mobile-RAM-Produktlinie die Verfügbarkeit erster Muster mit einer Speicherkapazität von 128 Mbit an. Mobile-RAMs sind synchrone DRAMs (SDRAMs) mit besonders geringer Stromaufnahme. Die Produkte sind im 54-poligen Fine-Pitch Ball-Grid-Array- (FBGA) Gehäuse verfügbar, das dem neuen „Joint Electron Device Engineering Council“- (JEDEC) Standard für Low-Power DRAMs entspricht. Mobile-RAMs wurden für der Einsatz in batteriebetriebenen, tragbaren Anwendungen entwickelt.


Im Vergleich zum Thin-Small-Outline-Package- (TSOP) Gehäuse von Standard-SDRAMs spart das 8 mm x 9 mm große FBGA-Gehäuse zwei Drittel der Fläche auf der Prozent reduzieren. Erreicht wird dies durch die Reduktion der Betriebsspannung auf 2,5 V und Leiterplatte ein. Je nach Betriebsbedingungen und Systemdesign kann sich die Leistungsaufnahme um bis zu 80 der Ein-/Ausgangsspannung auf 1,8 V bzw. 2,5 V sowie einem speziellen Power-Management.


Der neue JEDEC-Standard für Low-Power SDRAMs schließt diese Features wie auch das FBGA-Gehäuse ein. Seit der Standardisierung des neuen Low-Power SDRAM durch JEDEC, an der Infineon maßgeblich beteiligt war, unterstützen industrieweit auch andere Hersteller von Chipsets und Betriebssystemen sowie Anbieter von IP (Intellectual Property) für das Design von ASICs / SoC (Application Specific Integrated Circuis / Systems on Chip) den neuen Standard, um die leistungssparenden Vorteile des Mobile-RAMs für ihre zukünftigen Produkte zu nutzen.