Anritsu hat die 1480 nm Pump Laser Diode mit einer optischen Ausgangsleistung von minimal 300 mW für DWIDM Systeme vorgestellt. Die Diode ist damit auf die Anforderungen höherer Leistung in DWDM-Übertragungssystemen ausgerichtet und eignet sich somit besonders für leistungsstarke EDFA und optische Raman-Verstärkerquellen.



  • Ausgangsleistung von 300 mW 

  • maximaler Betriebsstrom von nur 1000 mA 

  • maximale Durchlaßspannung von nur 2,8 V bei einer Gehäusetemperatur von 70 ‚C.

Die geringere Leistungsaufnahme wirkt sich sehr positiv auf die Kühlereigenschaften aus.


Die vorliegende Technik begünstigt weitere Entwicklungen von Hochleistungschips im Low-Cost Bereich sowie von kühlerlosen 1480 nm Pump Laser mit einigen 10 mW. Mit typischerweise vier bis fünf Wellenlängen zwischen 1400 und 1500 nm, werden über Fasengitter stabilisierte (FBG) Pump Laser Dioden optische Ramanquellen konfiguriert.