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Ein synchroner 25-Volt-Buck-Schaltregler-Directfet-Mosfet-Chipsatz für die Entwicklung von Point-of-Load-Wandler (PoL) ergänzt ab sofort das Produktportfolio von International Rectifier. Dieser 25-Volt-Chipsatz kombiniert die moderne Hexfet-Mosfet-Siliziumversion mit der Benchmark-Directfet-Packaging-Technologie. Die Komponenten eignen sich für eine hochintegrierte syn-chrone Lösung auf der Montagefläche eines SO-8-Gehäuses; die Bauhöhe beträgt 0,7 Millimeter. Die Bausteine IRF6710S2, IRF6795M und IRF6797M zeichnen sich – so die Aussagen des im kalifornischen El Segundo beheimateten Unternehmen – durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), einer niedrigen Gate- und Gate-zu-Drain-Ladung aus. Daraus resultieren Vor-teile, wie ein hoher Wirkungsgrad und eine optimierte thermische Performance. Darüber hinaus lässt sich der Betrieb bei mehr als 25 Ampere pro Phase realisieren. Welche Faktoren zeichnen nun die einzelnen Bausteine aus? Der IRF6710S2 ist als Control-Mosfet prädestiniert, punktet er doch mit einem kleinen Gate-Widerstand von 0,3 Ohm und gleichzeitig einer niedrigen Miller-Ladung von drei Nanocoulomb, die für eine erhebliche Minimierung der Schaltverluste sorgt. Die anderen beiden Komponenten – der IRF6795M und der IRF6797M – glänzen mit einem niedrigen RDS(on). Dieser wiederum resultiert in weniger Leitungsverlusten. Gleichzeitig reduziert auch die integrierte Schottky-Diode zu sowohl die Leitungsverluste in der Diode als auch Reverse-Recovery-Verluste. Aus diesem Grund eignen sie sich insbesondere für synchrone Hochstrom-Mosfet-Schaltungen. Der IRF6795M und der IRF6797M verfügen über denselben MX-Footprint und machen so eine einfache Migration von bereits vorhandenen Syncfet-Bausteinen möglich.

VORTEIL Technische Benefits, wie ein niedriger Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate- und Gate-zu-Drain-Ladung führen zu minimierten Leitungsverlusten und damit zu einem höheren Wirkungsgrad und einer verbesserten thermischen Leistungsfähigkeit. Diese Effizienz spiegelt sich in reduzierten Betriebskosten wider.