Bei den drei neuen 500-V-Mosfets im TO-220-, TO-220F- und TO-247-Gehäuse handelt es sich um Ausführungen in der Gen-6.2-n-Kanal-Planar-FET-Technologie. Die Leistungsmosfets SiHP18N50C, SiHF18N50C und SiHG20N50C sind für eine Sperrspannung von 500 V ausgelegt und haben bei einer 10V-Gate-Spannung einen niedrigen On-Widerstand von maximal 0,270 ?. Zudem weisen die Komponenten eine niedrige Gate-Ladung von 65 nC auf. Um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten, werden die Bauteile zu 100% Avalanche getestet und haben hohe Grenzwerte für die Avalanche-Energie bei Einzel- und Mehrfachimpulsen. Die Spitzenstrombelastbarkeit beträgt 72 bzw. 18A. Die Leistungskomponenten punkten mit einem guten Verhalten bei der Transkonduktanz und Reverse-Recovery.
