Die schnell schaltende Super-Junction-MOSFETs der DTMOS-IV-H-Serie.

Die schnell schaltende Super-Junction-MOSFETs der DTMOS-IV-H-Serie.Toshiba

Die im Single-Epitaxie-Prozess gefertigten DTMOS-IV-H Super-Junction-MOSFETs eignen sich für Anwendungen, die Zuverlässigkeit und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Zusätzlich mit dem Design eignet sich der Feldeffekttransistor insbesondere für Power Factor Control (PFC) in Schaltnetzteilen für Server und Telekommunikations-Basisstationen sowie Power Conditioner für Solarstrom-Inverter.

Die MOSFETs ermöglichen ein schnelles Schalten bei niedrigem Durchlasswiderstand der DTMOS-IV-Bausteine ohne Leistungsverluste. Dafür sorgt die verringerte parasitäre Kapazität zwischen Gate und Drain (typische Ciss-Werte zwischen 3000 und 6500 pF), die auch zu einem höheren Wirkungsgrad und zu kleineren Bausteinen führt.

Im Vergleich zu anderen DTMOS-IV-MOSFETs verringert eine Gate-Struktur die Gate-Drain-Ladung um 45 Prozent (typische Qg-Werte zwischen 65 und 135 nC). Die MOSFETs weisen einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(ON)max bei UGS=10 V reicht von 0,088 bis 0,040 Ω) auf. Die Bausteine haben aufgrund des Single-Epitaxie-Prozesses einen geringen Anstieg des RDS(ON) bei hohen Temperaturen. Der Drain-Strom reicht von 30,8 bis 61,8 A.

Die DTMOS-IV-H-Serie besteht aus dem TK31N60X, TK39N60X und TK62N60X und basiert auf Toshibas vierter Generation der 600-V-Super-Junction-MOSFET-DTMOS-IV-Reihe. Derzeit liefert der Halbleiterhersteller die Serie im T0-247-Gehäuse. Weitere Gehäusevarianten wie 8 x 8 mm DFN, TO-220 und TO-220SIS, stehen demnächst zur Verfügung.