„Wide Bandgap“ Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) basieren auf dem innovativsten Material und werden von vielen Leistungselektronik- und Systementwicklern in ihren neuen Designs genutzt. SiC bietet gegenüber Silizium eine Reihe von Vorteilen. Dazu zählen eine höhere Durchbruchfeldstärke und eine höhere thermische Leitfähigkeit. Dank dieser Eigenschaften können Entwickler künftig Produkte mit besseren Performance-Eigenschaften realisieren. Zu nennen sind hier eine Rückwärtserholzeit von Null (Zero Reverse Recovery), ein temperaturunabhängiges Verhalten sowie eine höhere Spannungs- und Temperaturbelastbarkeit, mit denen sich neue Maßstäbe für Performance, Effizienz und Zuverlässigkeit erreichen lassen.

Das Portfolio an 650V-SiC-Schottky-Dioden umfasst die Produkte APT10SCD65K (650 V, 10 A, TO-220-Gehäuse), APT10SCD65KCT (650 V, 10 A, TO-220-Gehäuse, gemeinsame Kathode), APT20SCD65K (650 V, 20 A, TO-220-Gehäuse) und APT30SCD65B (650 V, 30 A, TO-247-Gehäuse). Eingesetzt werden diese Lösungen auch in den Leistungsmodulen von Microsemi. Zu finden sind sie in Luftfahrt-, Schweiß- und Batterielade-Applikationen sowie in anderen Industrie-Anwendungen mit hoher Energiebelastung. Die 650-V-SiC-Schottky-Dioden befinden sich bereits in der Produktion.