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FD-SOI

Abkürzung für: Fully Depleted Silicon on Insulator
Definition: Fertigungstechnologie für Transistoren in Technologiegenerationen unterhalb von 28 nm; eine dünne, vergrabene Siliziumoxid-Schicht verringert Leckströme ins Substrat; der äußerst dünne Silizium-Kanalbereich (10 - 30 nm) zwischen Source und Drain muss auf Grund seiner geringen Abmessungen nicht dotiert werden und besitzt also keine Ladungsträger (fully depleted). Dadurch verbessern sich die elektrostatischen Eigenschaften des Transistors und es treten geringere parasitäre Kapazitäten auf. Die FD-SOI-Technologie ist unter anderem bei Globalfoundries (z.B. 22FDX) und ST Microelectronics in Produktion. Die Technologie konkurriert mit der z.B. von Intel eingesetzten Fin-FET-Technologie.
Kategorie: Fertigung
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