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HEMT

Abkürzung für: High-Electron-Mobility-Transistor
Definition: Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit; eine Form des Feldeffekttransistors für sehr hohe Schaltfrequenzen; der Aufbau basiert auf die Kombination von Materialien mit hohem Bandabstand, wie beispielsweise GaN/AlGaN, an deren Grenzfläche sich ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) bildet, in dem sich die Elektronen nahezu streufrei und damit sehr schnell bewegen können.
Kategorie: Bauelemente
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