AMD und IBM haben vereinbart, gemeinsam Technologien zur Produktion von Hochleistungschips entwickeln wollen. Die zu entwickelnden Prozesse zielen darauf ab, die Leistung von Mikroprozessoren weiter zu verbessern und den Stromverbrauch zu reduzieren. Diese Prozesse werden u.a. superschnelle Silicon-on-Insulator (SOI) Transistoren, Kupfertechnologie sowie eine verbesserte „low-k-dielectric“ Isolierung einsetzen. Die Vereinbarung beinhaltet die Zusammenarbeit in der 65- und 45-nm-Technologie, die auf 300-mm-Wafern Verwendung finden soll.


„Wir wollen unsere 90-nm-Produktion bereits im 4. Quartal 2003 einsetzen. Deshalb erweitern wir unsere Entwicklung jetzt auf Prozesstechnologien für unsere nächste


Prozessorgeneration, die Strukturgrößen von 65 nm und darunter aufweisen wird“, sagte Bill Siegle, Senior Vice President, Technology Operations und AMDs Chief Scientist.


AMD und IBM werden in der Lage sein, die gemeinsam entwickelten Technologien in ihren eigenen Werken aber auch bei ausgewählten Produktionspartnern einzusetzen. Die beiden Unternehmen erwarten erste Produkte in der 65-nm-Technologie für das Jahr 2005.


Die Entwicklungsaktivitäten werden von AMD- und IBM-Ingenieuren in IBMs Entwicklungszentrum, dem Semiconductor Research and Development Center (SRDC), am IBM-Standort in East Fishkill, N.Y, unternommen. Die gemeinsame Arbeit soll am 30. Januar 2003 beginnen.