Blaue Laser leben länger

Osram Opto Semiconductor konnten die Betriebsdauer von blauen Gallium-Nitrid-Lasern im Dauerstrichbetrieb von ursprünglich zwei Minuten auf 143 Stunden steigern. Entscheidend dazu beigetragen hat die Verbesserung der Qualität der einkristallinen Halbleiterschichten bei der Herstellung von Gallium-Nitrid basierten Strukturen auf Silizium-Karbid-Substraten. Auf Basis der metallorganischen Gasphasenepitaxie gelang es, hochentwickelte, einkristalline Strukturen mit nur wenigen Nanometern Schichtdicke kontrolliert aufwachsen zu lassen und so die Effizienz der Lichterzeugung erheblich zu steigern.
Unter Nutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von Silizium-Karbid konnten der Wärmehaushalt des Chips verbessert und eine Überhitzung während des Betriebs verhindert werden. Hier brachten die Entwickler von Osram Opto Semiconductors ihre Erfahrungen aus der High-End-Package-Technologie bei der High-Power-Laser-Montage ein, die eine optimale Wärmeabfuhr und effiziente Lichtauskopplung sicherstellt. Dank neuer Kontaktverfahren ließ sich die Betriebsspannung von 16 auf 8 V halbieren. Optimierte, speziell auf das Materialsystem angepasste Chip-Technologie mit lateraler optischer Wellenführung und äußerst glatten Laserspiegeln erlaubte es, den Betriebsstrom auf 96 mA zu verringern.

Osram Opto Semiconductors
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