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MOSFETs für das Auto
International Rectifier (IR) stellte heute auf der Messe PCIM in Nürnberg eine Familie automotive-qualifizierter MOSFETs vor, die nach Angaben des Unternehmens den branchenweit niedrigsten On-Widerstand aufweisen. mehr
Leistungselektronik
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PoE-Anwendungen mit hoher Leistungsaufnahme
Die NextPower-Live-MOSFETs PSMN040-100MSE und PSMN075-100MSE von NXP Semiconductors ermöglichen sehr hohe Inrush-Ströme. Damit eignen sie sich sehr gut für Power-over-Ethernet-Applikationen (PoE) mit hohen Leistungen von 30 Watt und mehr (zum Beispiel PoE+, UPoE und LTPoE++). mehr
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Miniatur-Zweikanal-Lastschalter mit kleinem RDS(ON)
Advanced Power präsentiert einen Miniatur-Zweikanal-Lastschalter mit kleinem On-Widerstand für Lastströme bis 6 A. mehr
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Schnellere Entwicklung von Leistungsstufen
Die jüngsten Online-Design-Tools mit hochentwickelten Thermo- und Frequenzanalysen ermöglichen die Verwendung modernster Leistungshalbleitertechnologien, um so zu geringeren Abmessungen und Kosten bei gleichzeitig erhöhter Effizienz und Zuverlässigkeit zu kommen. mehr
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Hybrid-MOS-Bausteine
Rohm Semiconductor stellt Hochspannungstransistoren-Designs vor. Das Design sorgt für eine Senkung der Leistungsaufnahme in Netzteilen und PFC-Schaltungen (Leistungsfaktor-Korrektur) für Server, Industrieausrüstungen und Hausgeräten. mehr
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Wirkungsgrad bis 98 Prozent
Die von HY-Line Power Components angebotenen Cool-Power-DC/DC-Abwärtswandler PI33xx und PI34xx erreichen Wirkungsgrade bis 98 Prozent dank Zero Voltage Switching (ZVS). Die PI33xx-Varianten bieten einen Eingangsspannungsbereich von 8 bis 36 V und unterstützen damit den 24-V-Industrie-Standard. mehr
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Energieeinsparung und geringe Geräuschentwicklung
Über die Temperatur regelbare Axiallüfter drehen bei geringer Temperatur mit niedrigen Drehzahlen, was zu Energieeinsparungen und weniger Geräuschentwicklung führt. Steigt die Temperatur, so steigen auch die Umdrehungen des Lüfters, was somit zu einer erhöhten Luftmenge führt. mehr
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Ausgeführt in Dünnschichttechnologie
Mit einer Nennleistung von 20 W (auf Kühlkörper montiert) in einem sehr kleinen und flachen TO126-Gehäuse, bietet der japanische Hersteller Nikkohm (Vertrieb: WDI) mit der Serie RNP10S einen nicht induktiven Leistungswiderstand in Dünnschicht- Technologie an. mehr
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Vierpoliges Gehäuse für höhere Schaltfrequenz
Der MDmesh-V-Super-Junction-MOSFET mit einer neuen Gehäusetechnologie von STMicroelectronics verbessert die Effizienz von Leistungs-Schaltungen in weißer Ware, Fernsehgeräten, PCs, Telekommunikations-Ausrüstungen und Server-Schaltnetzteilen. mehr
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Minimale Schalt- und Leitungsverluste
Die AlphaMOS-II-Produkte (Struktur und Prozess durch angemeldetes Patent geschützt) vereinen die Robustheit und die kontrollierte Schaltcharakteristik der Planartechnologie mit den äußerst niedrigen Durchgangswiderständen der Bauelemente vom Super-Junction-Typ. mehr
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Lasten im Stromnetz effizient und sicher ein- und ausschalten
Speziell für die Anforderungen im Bereich Smart Meter hat Fairchild Semiconductor die Familie der intelligenten Zweifach-Relais-Treiber FAN324x entwickelt. mehr
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Interview mit Alf-Egil Bogen über den Wechsel von Atmel zu Energy Micro
Interview mit Friedhelm Pickhard, ETAS
Interview mit André Vander Stichelen, Rohde & Schwarz
Interview mit Steffen Hering und Kollegen, Renesas
Vierter Frühjahrsempfang der Hüthig Elektronik Medien Gruppe
Impression von der IAA Nutzfahrzeuge 2012
Impressionen von der PCIM 2012
Impressionen von der Hannover Messe 2012
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