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  • 20.05.2015 | Wärmemanagement

    Thermisch leitende Füllmasse

    Dow Corning hat mit TC-4525 eine thermisch leitende Füllmasse für das Thermomanagement in Fahrzeugen auf den Markt gebracht, die eine Wärmeleitfähigkeit von 2,5 W/(mK) aufweist. mehr

  • 19.05.2015 | p-Kanal-MOSFET

    On-Widerstand von 1,8 mOhm

    Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen p-Kanal MOSFET vor, der für Automotive-Anwendungen wie Verpolschutz und Motorsteuerung optimiert ist. mehr

  • 12.05.2015 | Bigger is better?

    Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

    Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge. mehr

  • 11.05.2015 | Verlustarme Leistungselektronik

    Neue effiziente Bausteine für Stromversorgungen

    Technologien, die für den Einsatz in der Unterhaltungselektronik entwickelt wurden, können gleichfalls für industrielle Applikationen Vorteile bringen. Auch für Rohm spielt es bei der Produktentwicklung eine große Rolle, über die Bereiche hinweg Synergien verschiedener Technologien zu finden und zu nutzen. mehr

  • 07.05.2015 | 600-V-GaN-Transistor im TO-247

    Hocheffiziente Wechselrichter bis 3 kW

    Als 600-V-GaN-Transistor (Galliumnitrid) im TO-247 ermöglicht der TPH3205WS von Transphorm hocheffiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. Weitere Merkmale sind der niedrige Einschaltwiderstand von 63 mOhm und 34 A Strombelastbarkeit. mehr

  • 07.05.2015 | MOSFETs: Siliziumkarbid löst Silizium ab

    In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten

    In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leitungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant. mehr

  • 06.05.2015 | Referenzdesign-Kit für 10-W-CV/CC-USB-Akkulader

    Ladeschaltung für smarte Mobilgeräte

    Der RDK-420 von Power Integrations ist ein Referenzdesign-Kit für 10-W-CV/CC-USB-Akkulader auf Basis der Innoswitch-CH-Familie hochintegrierter Schaltregler-ICs. mehr

  • 29.04.2015 | Hohe Leistungsdichte und schnelle Reaktion

    Buck-Boost-Regler erweitern Portfolio

    Die hocheffizienten DC/DC-Buck-Boost-Regler P13749, P13751 und P13755 erweitern das Portfolio der Point-of-load-Regler Picor Cool-Power ZVS und liefern mehr als 200 W bei über 98 % Spitzenwirkungsgrad. mehr

  • 29.04.2015 | GaN-Halbleiter auf dem Vormarsch

    Nicht nur für Hochfrequenz

    Nachdem sie anfangs in Hochfrequenzanwendungen zum Einsatz kamen, sind MOSFETs inzwischen auch Leistungsbauteile geworden. Dem HEMT (High Electron Mobility Transistor) ergeht es nun ebenso, bei noch besseren Ergebnissen. Doch wie kann er konkret eingesetzt werden? mehr

  • 28.04.2015 | Zuverlässiger Betrieb bei hohen Temeraturen

    Hochintegrierte Gatetreiber für Leistungsschalter

    Die zweite Generation der hochintegrierten isolierten Gatetreiber Hades von Cissoid eignet sich für Stromwandler mit hoher Leistungsdichte, Motorantriebe und Aktuatoren, die auf schnell schaltenden Siliziumkarbid-Transistoren (SiC), herkömmlichen Leistungs-MOSFETs und IGBTs basieren. mehr

 
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