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  • 16.04.2015 | Galliumnitrid-Leistungstransistoren

    GaN Systems unterzeichnet Vertriebsvereinbarung mit Ecomal Europe

    GaN Systems erwartet einen Boom bei Galliumnitrid-Leistungstransistoren. Der Hersteller wählt Ecomal Europe zum Vertriebspartner. Ausschlaggebend sei deren Erfahrung mit Leistungselektronik. mehr

  • 10.04.2015 | Power-Module

    Hochleistungsfähige Schaltanwendungen für Antriebe und Wechselrichter

    Die IPM-Familie (Intelligent Power Module) von Rohm Semiconductor für energieeffiziente Antriebs- und Wechselrichter-Anwendungen besteht aus IGBT-basierten, für den Low- oder High-Speed-Betrieb optimierten Modulen sowie aus MOSFET-basierten IPMs, in denen der proprietäre Super-Junction- MOSFET von Rohm mit niedrigem Einschaltwiderstand zum Einsatz kommt. mehr

  • 08.04.2015 | 600-V-GaN-Transistor

    Effiziente Wechselrichter bis zu 3 kW

    Der 600-V-Galliumnitrid (GaN)-Transistor TPH3205WS von Transphorm mit niedrigem R(on) und Quiet-TabTM-Anschlusskonfiguration ermöglicht sehr effiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. mehr

  • 07.04.2015 | Infineon und Panasonic

    Dual Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Leistungsbausteine

    Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. mehr

  • 10.03.2015 | Infineon und Panasonic

    Dual-Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Transistoren

    Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. mehr

  • 05.03.2015 | SMD-Hochstrominduktivität vor

    Für Schaltregler mit mittelhoher Leistung

    Schaltregler mit mittelhoher Leistung und geringem Platzbedarf benötigen Hochstrominduktivitäten. Für diesen Anwendungsfall erweitert Würth Elektronik eiSos seine Produktfamilie WE-HCI um die Bauform 5040. mehr

  • 05.03.2015 | 700-V-SiC-MOSFETs

    Stabiler RDS(on) über die Temperatur und robust im Betrieb

    Microsemi (Vertrieb: Eurocomp) verbessert seine SiC-MOSFETs laufend und hat die Abhängigkeit des RDS(on) von der Temperatur weiter verringert. mehr

  • 05.03.2015 | MOSFET Design Kit

    Vergleichstests zwischen IGBTs und MOSFETs

    Das MOSFET Design Kit CRC280 von Cree lässt sich schnell und einfach zusammenbauen und anwenden. Es ermöglicht Vergleichstests zwischen IGBTs und Cree MOSFETs und hält ein effektives Layout-Beispiel zur korrekten Ansteuerung von Cree MOSFETs mit einem Minimum an Oszillationen bereit. mehr

  • 04.03.2015 | IGBTs mit niedriger Gesamtverlustleistung

    Schalten von Frequenzen zwischen 50 Hz und 20 kHz

    Infineon stellt eine neue Klasse von IGBTs mit einer niedrigen Sättigungsspannung V CE(sat) von typisch 1,05 V bei 25 °C vor, die insbesondere für Schaltfrequenzen im Bereich von 50 Hz bis 20 kHz optimiert sind. mehr

  • 23.02.2015 | SiC-MOSFETs

    1200-V-Typen für 80 A

    Die 1200 V / 40 A / 80 mΩ-Typen APT40SMxxx von Microsemi (Vertrieb: Eurocomp) sind bereits in Stückzahlen erhältlich. Ab März und rechtzeitig zur PCIM 2015 folgen dann die in der Tabelle gezeigten Typen für Anwendungen mit 700, 1200 und 1700 V in verschiedenen Stromklassen bis 80 A und mit RDS(ON) zwischen 40 und 800 m. mehr

 
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