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20.08.2014 | Der Vertrag ist unterzeichnet

Infineon will International Rectifier kaufen

Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss hat in den USA einen Vertrag zur Akquisition von International Rectifier unterzeichnet, um so "eine Vertiefung und eine Verbreiterung" des Produktportfolios zu erreichen. mehr

  • 05.09.2014 | DC-Zwischenkreis-Kondensatoren

    Snap-in-Anschlüsse für einfache Leiterplattenmontage

    Die selbstheilenden DC-Zwischenkreiskondensatoren der Produktfamilie FRC von AVX für Anwendungen mittlerer Leistung, decken weite Kapazitäts- und Nennspannungsbereiche ab. mehr

  • 05.09.2014 | Synchroner 55-V-Abwärtswandler

    High-Voltage Buck Controller vereinfacht Design

    Der synchrone 55-V-Abwärtswandler von Intersil mit integrierten High-Side- und Low-Side-Treibern für 3 A Strom bietet für eine Vielzahl von Lastströmen von unter 5 bis über 25 A einen hohen Wirkungsgrad bei der Abwärtswandlung. mehr

  • 03.09.2014 | 1200-V-IGBTs halten länger und sparen mehr Energie

    Effizienter Betrieb bei Schaltfrequenzen über 20 kHz

    Die 1200-V-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics nutzen eine schnelle Trench-Gate-Field-Stop-Technologie der zweiten Generation, um die Energieeffizienz und Robustheit von Anwendungen wie zum Beispiel bei PV-Wechselrichtern, Schweißgeräten, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Wandlern mit Leistungsfaktorkorrektur zu verbessern. mehr

  • 02.09.2014 | Siliziumkarbid

    Optokoppler für SiC-MOSFET-Gate-Treiber

    Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid setzen sich immer mehr durch: Sie können die Gesamtsystemleistung um mehr als 10 % verbessern und die höhere Schaltgeschwindigkeit reduziert Systemgröße und -kosten. Entwickler müssen aber auch die umgebende Schaltung bedenken, bis hin zu den Optokopplern am Gate-Treiber. mehr

  • 22.08.2014 | Kompakte und leistungsfähige 600-V-Halbbrücken-Treiber

    Gate-Treiber für effiziente und platzsparende Lösungen

    Produktentwickler im Bereich der Antriebstechnik in Haushaltsgeräten und der Unterhaltungselektronik sind damit konfrontiert, permanent den Wirkungsgrad der Geräte zu erhöhen, bei gleichzeitig immer kleineren Abmessungen. Wichtige Aspekte beim Stromversorgungsdesign sind dabei das Schaltverhalten und die Leistungsverluste von neuen Leistungs-MOSFETs. Dafür bietet die neueste Coolmos-Generation signifikant reduzierte Gate-Ladungen, während der Einsatz von neuen, dedizierten Treiber-ICs für eine weitere Optimierung sorgt. mehr

  • 18.08.2014 | Gleichspannungswandler als Stromversorgung für IGBT-Gatetreiber

    Störungen und Spannungsabfälle minimieren

    In Hochleistungsanwendungen findet man inzwischen IGBTs mit Gatekapazitäten im dreistelligen Nanofarad-Bereich. Zum Ein- und Ausschalten eines IGBT muss im Prinzip nur diese Kapazität ge- beziehungsweise entladen werden. Der hierfür erforderliche Strom verursacht jedoch durch die Spannungsabfälle in der Gatetreiber-Schaltung und im IGBT selbst erhebliche Verluste. mehr

  • 18.08.2014 | Film- und Elektrolytkondensatoren in der Energietechnik

    Spannungsstabilisierung in Hochspannungsnetzen

    Speicherelemente, die Energie in unterschiedlichster Form speichern und sie für spätere Umformprozesse bereitstellen, sind wesentliche Komponenten in modernen Stromversorgungen und Frequenzwandlern. Großes Augenmerk liegt daher auf der Glättung und der Gleichförmigkeit der Energiequelle. Die Fähigkeit eines Kondensators, hohe elektrische Ladungen zu speichern, spielt dabei eine besondere Rolle. mehr

  • 15.08.2014 | MOSFETs für Stromversorgungssysteme

    Optimale Balance aus Leitungsverlusten und Schalteffizienz

    Low-Voltage-MOSFETs (<40 V) finden sich vor allem in Stromversorgungen tragbarer elektronischer Geräte wie Smartphones und Tablets sowie in Haushaltsgeräten, Datenkommunikations-Servern, medizintechnischen Geräten und in der Telekommunikations-Infrastruktur. Auf die Entwickler solcher MOSFETs kommen zukünftig hohe Anforderungen zu. Der folgende Beitrag geht näher auf diese Anforderungen ein und wie sie angegangen werden können. mehr

  • 14.08.2014 | GaN-Hochfrequenztransistoren

    Hochleistungsbausteine mit Kunststoffgehäuse

    Zu den ersten Produkten der GaN-HF-Transistoren mit hoher Leistung von Cree gehört der im Kunststoffgehäuse angebotene 300-W-Transistor für 2,7 GHz. mehr

  • 12.08.2014 | MOSFETs für den industriellen Einsatz

    Geringe Leitungsverluste bei hohem Wirkungsgrad

    International Rectifier brachte eine Familie von Large Can Direct-FET-MOSFETs für den Einsatz in industriellen Anwendungen auf den Markt, die einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (Rds(on)) erfordern. Dazu zählen Hochleistungs-Gleichstrommotoren, DC/AC-Wandler sowie Hochstrom-Schaltanwendungen wie zum Beispiel aktives ORing, Hot Swap oder eFuse. mehr

 
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