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  • 19.06.2015 | Leistungshalbleiter für Anspruchsvolle

    Flexible und skalierbare Gehäusetechnik für Leistungsmodule

    Infineon hat eine neue, modulare Gehäuse-Plattform für High-Power-IGBT-Module entwickelt, die für den gesamten Spannungsbereich für IGBT-Chips von 1,2 kV bis 6,5 kV ausgelegt sind und eine breite Skalierbarkeit mit hoher Stromdichte ermöglichen. Für Applikationsentwickler vereinfacht sich dadurch die Systementwicklung. mehr

  • 11.06.2015 | Schutz für Stromversorgungen

    Power-Multiplexer-ICs mit dualem Eingang für Mobilgeräte

    Toshiba Electronics Europe stellt drei neue Power-Multiplexer-ICs vor, die zwischen zwei verschiedenen Stromquellen umschalten können. Damit eignen sich die Bausteine für das Laden tragbarer Geräte. mehr

  • 10.06.2015 | Low-Side-Schalter

    Ersatz elektromechanischer Sicherheitsrelais

    Mit den geschützten Low-Side-Schaltern HITFET+ von Infineon Technologies lassen sich die heute üblichen elektromechanischen Sicherheitsrelais im Automobil- und Industriebereich durch robustere Halbleiterlösungen ersetzen. mehr

  • 09.06.2015 | Geringe Wandlerverluste und sehr zuverlässig

    Kostengünstige GaN-Leistungs-Bausteine gemäß HEMT

    Der III/V-Halbleitermaterialentwickler Epigan hat auf der Messe PCIM Europe 2015 sein aktuelles Produktportfolio für GaN-on-Si-Epiwafer (Gallium Nitride on Silicon) vorgestellt, die sich in der Standard Si-CMOS-Fertigung einsetzen lassen. Die Epiwafer entsprechen den Industrie-Anforderungen an HEMT-Bausteine (High Electron Mobility Transistor) für 650 V. mehr

  • 02.06.2015 | Für BLDC-, BDC- und Schrittmotoren

    Hochintegrierter Embedded-Motorcontroller

    Micronas hat mit dem HVC 4223F das erste Mitglied einer neuen Embedded-Motorcontroller-Generation angekündigt, welche das Design effizienter, kompakter und kostengünstiger Elektromotoren in Fahrzeuganwendungen und im industriellen Umfeld ermöglicht. mehr

  • 29.05.2015 | Geringer On-Widerstand

    Weltweit erster SiC-MOSFET in Trench-Bauart

    Rohm hat einen SiC-MOSFET auf den Markt gebracht, der erstmals auf der Welt auf einer Trench-Struktur basiert. mehr

  • 20.05.2015 | Wärmemanagement

    Thermisch leitende Füllmasse

    Dow Corning hat mit TC-4525 eine thermisch leitende Füllmasse für das Thermomanagement in Fahrzeugen auf den Markt gebracht, die eine Wärmeleitfähigkeit von 2,5 W/(mK) aufweist. mehr

  • 19.05.2015 | p-Kanal-MOSFET

    On-Widerstand von 1,8 mOhm

    Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen p-Kanal MOSFET vor, der für Automotive-Anwendungen wie Verpolschutz und Motorsteuerung optimiert ist. mehr

  • 12.05.2015 | Bigger is better?

    Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

    Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge. mehr

  • 11.05.2015 | Verlustarme Leistungselektronik

    Neue effiziente Bausteine für Stromversorgungen

    Technologien, die für den Einsatz in der Unterhaltungselektronik entwickelt wurden, können gleichfalls für industrielle Applikationen Vorteile bringen. Auch für Rohm spielt es bei der Produktentwicklung eine große Rolle, über die Bereiche hinweg Synergien verschiedener Technologien zu finden und zu nutzen. mehr

 
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