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26.11.2014 | Leiterplatten-Kooperation vertieft

Infineon beteiligt an Schweizer Electronic

Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies und der Leiterplattenhersteller Schweizer Electronic wollen künftig noch enger zusammenarbeiten: Infineon beteiligt sich mit 9,4 Prozent Schweizer. Die entsprechenden Verträge wurden heute abgeschlossen. Bereits vor einem Jahr haben beide Unternehmen einen leistungsstarken Batterieschalter-Demonstrator entwickelt. mehr

  • 10.12.2014 | Jetzt auch in Deutschland

    Leistungshalbleiterhersteller eröffnet Zweigniederlassung in Nürnberg

    Der Leistungshalbleiterhersteller Star Power Europe eröffnet seine Zweigniederlassung in Nürnberg. Neue Mitarbeiterin ist Frau Jie Ma, die bereits im technischen Vertrieb und Produktmanagement von Leistungshalbleiter Modulen und Systemen arbeitete. mehr

  • 09.12.2014 | Präzisionsarbeit

    Strommesswandler auf ASIC-Basis für genauere Messungen

    Seit man Hall-Zellen und Verstärker gemeinsam auf einem ASIC herstellen kann, fertigt LEM entsprechende Bausteine. Mithilfe mehrerer Zellen blendet der Strommesswandler Störungen zuverlässig aus und erreicht sehr hohe Genauigkeiten. mehr

  • 01.12.2014 | Hot-Swap-Controller

    Ideale Diode für redundante Stromversorgungen nachbilden

    Die Bausteine LTC4225, LTC4227 und LTC4228 steuern externe N-Kanal-MOSFETs statt reale Dioden zu verwenden, um damit eine Hot-Swap-Funktion und das ORing für zwei redundante Stromversorgungen umzusetzen. Sie verfügen über eine schnelle Abschaltung, sanftes Umschalten zwischen den Stromversorgungen im laufenden Betrieb, aktive Strombegrenzung sowie Zustands- und Fehler-Reporting. mehr

  • 28.11.2014 | Kleine Leistungsmodule für hohe Ströme

    10- und 15-A-Module mit hoher Leistungsdichte

    Exar Corporation stellt mit 10A XR79110 und 15A XR79115 Single-Output-Synchron-Abwärtswandler auf Basis der eigenen, patentierten emulierten Current-Mode-Constant-On-Time (COT) -Regelung vor. mehr

  • 26.11.2014 | Diskrete IGBTs

    TO-247-4-Gehäuse mit Kelvin-Sense und verbesserter Leistungsdichte

    Infineon Technologies erweitert die IGBT-Angebotspalette um eine neue Variante des TO-247-Gehäuses. Das TO-247 4-Gehäuse mit Kelvin-Sense erfüllt die Anforderungen nach höherer Leistungsdichte bei gleichzeitig geringerem Platzbedarf für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad. mehr

  • 26.11.2014 | Selbstklebendes, wärmeleitendes Laminat

    Kompensation unterschiedlicher Wärmeausdehnungen

    Für strukturelle Klebeverbindungen, die eine hohe thermische Leistungsfähigkeit erfordern und mechanische Belastungen absorbieren müssen, hat Bergquist das neue Bond-Ply LMS-HD entwickelt. mehr

  • 24.11.2014 | Mehr Leistung für den Computertomographen

    SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsdichte in medizinischen Systemen

    Eines der wichtigsten Ziele von Entwicklern medizinischer Systeme mit hohem Strombedarf, wie Röntgenapparate und Computertomographen (CTs), besteht darin, die Leistungsdichte zu erhöhen. Dies lässt sich mit MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erreichen. mehr

  • 24.11.2014 | Kompakte SMD-Low-Voltage-MOSFETs

    MOSFETs in Gehäusen mit doppelseitiger Kühlung

    Toshiba Electronics Europe (TEE) bietet seine hocheffizienten Low-Voltage-MOSFETs nun auch im kompakten DSOP-Advance-Gehäuse an. mehr

  • 24.11.2014 | Neuartiger Dual-IGBT-Treiber

    Treiber für 600 und 1200 V Sperrspannung

    Der universelle Zwei-Kanal-IGBT-Treiber 2SC0106T von Concept, im Vertrieb bei Hy-Line Power Components, ist dank minimierter Komponentenzahl vom Kostenlevel vergleichbar mit diskret aufgebauten Lösungen, doch mit mehr Funktionen und höherer Zuverlässigkeit. mehr

  • 21.11.2014 | Rutronik stärkt Power-Portfolio

    Industrial-Power-Control-Lösungen von Infineon

    Infineon Technologies und Rutronik Elektronische Bauelemente haben ihre bestehende Franchise erweitert. Neben dem bereits lieferbaren Produktportfolio des Industrie-Geschäftsfeldes von Infineon sind ab sofort auch IGBT-, Thyristoren- und Diodenmodule europaweit bei Rutronik erhältlich. mehr

 
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