Leistungselektronik

Leistungshalbleiter für Elektroautos

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Leistungselektronik-Für Schaltwandler und Motorsteuerungen

IGBT-Treiber-Modul bis 800 V

14.12.2016Hy-Line Power hat  ein universelles IGBT-Treiber-Board speziell mit Scale-iDriver-ICs der Serie SID1182K von Power Integrations im Lieferprogramm. mehr...

Der Controller ist für Einsätze im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C geeignet.
Leistungselektronik-Geringer Verbrauch im Standby

Controller für Quasi-Resonanz-AC/DC-Wandler

12.12.2016Um die heute geforderten Energieeinsparungen und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen, brauchten Schaltungsdesigner bisher eine große Anzahl von Bauelementen. Um den Platzbedarf von Schaltungen zu verringern, kombiniert Rohm analoge Entwicklungstechnologie mit fortschrittlicher SiC-Leistungselektronik (Siliciumkarbid). mehr...

Ersatzschaltbild zur Ermittlung der einzelnen Impedanzen.
Leistungselektronik-Bessere Performance und Schaltcharakteristik

Auswirkungen der Quellenimpedanz auf DC/DC-Wandler

08.12.2016Hy-Line veröffentlicht einen Entwicklungsleitfaden von Vicor, der die Auswirkung der Quellenimpedanz auf die Leistungsfähigkeit und Charakteristik von DC-DC-Wandlern analytisch untersucht. mehr...

Leistungselektronik-Motion-Control Reference Design

Komplett elektrische Roboter entwickeln

05.12.2016Einhergehend mit dem Trend von hydraulischen zu elektrischen Roboterantrieben können Hersteller von elektronischen Komponenten nun umfassende Motorsteuerungsreferenzkonzepte einschließlich Motoren, MOSFETs und Treiber, Prozessoren, Algorithmen und sogar Leistungsverbinder anbieten. mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Der Leistungshalbleiter AEM10940 eignet scih für verschiedene stromsparende Sensoranwendungen.
Leistungselektronik-Power-Management-IC

Mehr Leistungsfähigkeit und effizienteres Energy Harvesting

25.11.2016Nach dem Markteintritt für Leistungshalbleiter Anfang dieses Jahres kündigt E-Peas nun die Verfügbarkeit seines ersten ICs an. Das Power-Management-IC AEM10940 basiert auf einer von E-Peas entwickelten Energy-Management-Technologie, mit der Elektronik-Hardware bei hohem Wirkungsgrad Energie aus der Umgebung beziehen kann. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016Infineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Die 48-Volt-Technologie für Fahrzeuge hilft den Kraftstoffverbrauch zu senken, reduziert die Umweltbelastung und kann die Motorleistung steigern.
Passive Bauelemente- Buck-Boost-Konverter für 12/48-Volt-Netz

48-Volt-Systeme

23.11.201648-Volt-Systeme sind eine Erweiterung der 12-Volt-Netze für leistungsstarke Verbraucher. Wichtigste Systemkomponente eines kombinierten 12/48-Volt-Netzes ist ein bis 5 kV ausgelegter Buck-Boost-Konverter, der den bidirektionalen Energiefluss zwischen den beiden Spannungsebenen ermöglicht. Für die Speicher- und Glättungsdrosseln in den Wandlern hat TDK zwei neue Serien von Epcos Leistungsinduktivitäten entwickelt. mehr...

Leistungselektronik benötigt zum Funktionserhalt effiziente Kühlung.
Wärmemanagement-Kühllösungen zum Ableiten der Verlustleistung

Leistungselektronik effizient kühlen

04.11.2016CTX Thermal Solutions bietet verschiedene Kühllösungen wie Profil-, Brazed- und Flüssigkeitskühlkörper, die die Verlustleistung ableiten und damit die Lebensdauer der Leistungselektronik erhöhen. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016Stromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

Rohm präsentiert Power-Management-Lösungen für den Automotive- und Industriebereich.
Leistungselektronik-Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

Lösungen für den Automotive- und Industriebereich

31.10.2016Rohm Semiconductor präsentiert auf der Electronica Power-Management-Lösungen für Anwendungen im Automotive- und Industriebereich sowie für das Home-Segment. mehr...

IGBT-Module MG12600WB_BR2MM
Leistungselektronik-Umrichter mit hohen Wirkungsgraden

IGBT-Module erweitern den Strombereich

28.10.2016Jüngste Ergänzung bei den IGBT-Modulen von Littelfuse ist die Baureihe MG12600WB-BR2MM. Die 1200-V-Module in Halbbrückenkonfiguration erweitern den Strombereich von bisher 450 auf jetzt 600 A und ermöglichen den Aufbau von Umrichtern mit hohen Wirkungsgraden. mehr...

Der Scale-iDriver ist in drei Varianten für 2,5; 5 und 8 A Treiberstrom lieferbar.
Leistungselektronik-IGBT-Treiber für Applikationen bis 400 kW

IGBT- und MOSFET-Treiber

28.10.2016Die Scale-IGBT-Treiber von Power Integrations (Vertrieb: Hy-Line Power Components) minimieren durch hohe Integration die Komponentenzahl und machen Zusatzfeatures möglich. mehr...

Der Motortreiber-IC A5989 steuert einen Schritt- und einen DC-Motor an.
Leistungselektronik-Kleinere Boards und weniger Bauteile

Zwei Motortreiber in einem Gehäuse

19.10.2016Einen Schrittmotor und einen DC-Motor steuert das 40-V-Motortreiber-IC A5989 von Allegro Microsystems an. Dabei beträgt der Ausgangsstrom des bipolaren Schrittmotortreibers bis zu 1,6 A und der des Hochstrom-DC-Treibers bis zu 3,2 A. mehr...

Der PLR 200.70.51 von Metallux ist mit seiner flachen Bauform impulsfest und niedriginduktiv.
Leistungselektronik-Neue Bauform

Zuwachs bei Dickschicht-Leistungswiderstände

18.10.2016Die Familie der Leistungswiderstände PLR von Metallux wächst weiter. Mit der Bauform PLR 200.70.51 schließt Metallux eine Lücke im Leistungsangebot der Dickschicht-Leistungswiderstände. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016Bahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

Mosfet Optimos 5 150 V im Super-SO8
Aktive Bauelemente-Umweltfreundliche Technologie

150-V-Mosfet senkt Durchlasswiderstand und Sperrerholladung

13.10.2016Infineon entwickelt kontinuierlich energieeffiziente Produkte, die einen Beitrag zur weltweiten CO2-Verminderung leisten. So auch der Mosfet Optimos 5 150 V, der höhere Wirkungsgrade und damit umweltfreundlichere Designs verspricht. mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).
Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

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