Leistungselektronik

Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.

Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Der Leistungshalbleiter AEM10940 eignet scih für verschiedene stromsparende Sensoranwendungen.

Leistungselektronik-Power-Management-IC

Mehr Leistungsfähigkeit und effizienteres Energy Harvesting

25.11.2016Nach dem Markteintritt für Leistungshalbleiter Anfang dieses Jahres kündigt E-Peas nun die Verfügbarkeit seines ersten ICs an. Das Power-Management-IC AEM10940 basiert auf einer von E-Peas entwickelten Energy-Management-Technologie, mit der Elektronik-Hardware bei hohem Wirkungsgrad Energie aus der Umgebung beziehen kann. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.

Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016Infineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Die 48-Volt-Technologie für Fahrzeuge hilft den Kraftstoffverbrauch zu senken, reduziert die Umweltbelastung und kann die Motorleistung steigern.

Passive Bauelemente- Buck-Boost-Konverter für 12/48-Volt-Netz

48-Volt-Systeme

23.11.201648-Volt-Systeme sind eine Erweiterung der 12-Volt-Netze für leistungsstarke Verbraucher. Wichtigste Systemkomponente eines kombinierten 12/48-Volt-Netzes ist ein bis 5 kV ausgelegter Buck-Boost-Konverter, der den bidirektionalen Energiefluss zwischen den beiden Spannungsebenen ermöglicht. Für die Speicher- und Glättungsdrosseln in den Wandlern hat TDK zwei neue Serien von Epcos Leistungsinduktivitäten entwickelt. mehr...

Leistungselektronik benötigt zum Funktionserhalt effiziente Kühlung.

Wärmemanagement-Kühllösungen zum Ableiten der Verlustleistung

Leistungselektronik effizient kühlen

04.11.2016CTX Thermal Solutions bietet verschiedene Kühllösungen wie Profil-, Brazed- und Flüssigkeitskühlkörper, die die Verlustleistung ableiten und damit die Lebensdauer der Leistungselektronik erhöhen. mehr...

Rohm präsentiert Power-Management-Lösungen für den Automotive- und Industriebereich.

Leistungselektronik-Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

Lösungen für den Automotive- und Industriebereich

31.10.2016Rohm Semiconductor präsentiert auf der Electronica Power-Management-Lösungen für Anwendungen im Automotive- und Industriebereich sowie für das Home-Segment. mehr...

IGBT-Module MG12600WB_BR2MM

Leistungselektronik-Umrichter mit hohen Wirkungsgraden

IGBT-Module erweitern den Strombereich

28.10.2016Jüngste Ergänzung bei den IGBT-Modulen von Littelfuse ist die Baureihe MG12600WB-BR2MM. Die 1200-V-Module in Halbbrückenkonfiguration erweitern den Strombereich von bisher 450 auf jetzt 600 A und ermöglichen den Aufbau von Umrichtern mit hohen Wirkungsgraden. mehr...

Der Scale-iDriver ist in drei Varianten für 2,5; 5 und 8 A Treiberstrom lieferbar.

Leistungselektronik-IGBT-Treiber für Applikationen bis 400 kW

IGBT- und MOSFET-Treiber

28.10.2016Die Scale-IGBT-Treiber von Power Integrations (Vertrieb: Hy-Line Power Components) minimieren durch hohe Integration die Komponentenzahl und machen Zusatzfeatures möglich. mehr...

Der Motortreiber-IC A5989 steuert einen Schritt- und einen DC-Motor an.

Leistungselektronik-Kleinere Boards und weniger Bauteile

Zwei Motortreiber in einem Gehäuse

19.10.2016Einen Schrittmotor und einen DC-Motor steuert das 40-V-Motortreiber-IC A5989 von Allegro Microsystems an. Dabei beträgt der Ausgangsstrom des bipolaren Schrittmotortreibers bis zu 1,6 A und der des Hochstrom-DC-Treibers bis zu 3,2 A. mehr...

Der PLR 200.70.51 von Metallux ist mit seiner flachen Bauform impulsfest und niedriginduktiv.

Leistungselektronik-Neue Bauform

Zuwachs bei Dickschicht-Leistungswiderstände

18.10.2016Die Familie der Leistungswiderstände PLR von Metallux wächst weiter. Mit der Bauform PLR 200.70.51 schließt Metallux eine Lücke im Leistungsangebot der Dickschicht-Leistungswiderstände. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016Bahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

Mosfet Optimos 5 150 V im Super-SO8

Aktive Bauelemente-Umweltfreundliche Technologie

150-V-Mosfet senkt Durchlasswiderstand und Sperrerholladung

13.10.2016Infineon entwickelt kontinuierlich energieeffiziente Produkte, die einen Beitrag zur weltweiten CO2-Verminderung leisten. So auch der Mosfet Optimos 5 150 V, der höhere Wirkungsgrade und damit umweltfreundlichere Designs verspricht. mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.

Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).

Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Bild 1: Funktionsschema eines herkömmlichen Mikrowellenherdes (links) und der Halbleitervariante (rechts).

Leistungselektronik-Mikrowellentechnik

Halbleiter ersetzen Magnetrons in Mikrowellenherden

07.09.2016Deutlich effizienter als ein klassischer Hohlkammerresonator (Magnetron) erzeugen Halbleiterbausteine das Hochfrequenzfeld in Mikrowellenherden. Sie lassen sich präzise steuern und weisen keine alterungsbedingten Leistungsverluste auf. Ampleon stellt Entwicklern von Haushaltsgeräten dieses Konzept genauer vor. mehr...

Der Semix 3 Press-Fit Shunt senkt die Systemkosten durch integrierte Strommessung.

Leistungselektronik- Integrierte Shunt-Widerstände in Leistungsmodulen

Optimieren durch Integrieren

29.08.2016Der Markt für Frequenzumrichter bietet heute eine große Anzahl funktional ähnlicher Geräte. Eine Differenzierung ist nur noch über applikationsspezifische Sondergeräte oder die Reduzierung der Kosten möglich. Die Integration von Zusatzfunktionen ins Leistungsmodul ist eine Möglichkeit zur Optimierung der Kosten. Semikron bietet in der Semix 3 Press-Fit-Baureihe IGBT-Module in Halbbrückentopologie mit integrierten Shunts zur Strommessung. mehr...

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Analog + Mixed Signal-BLDC-Motorsteuerung

Gleichmäßige, leise und effiziente BLDC-Antriebe

18.08.2016Eine Controller-Treiber-Schaltung mit gutem Regler erlaubt es, effiziente, vibrationsarme und leise BLDC-Antriebe schnell und mit geringen Beschaltungsaufwand zu realisieren. Toshiba stellt hierfür einen hochintergrierten Baustein vor und erläutert die besonderen Verbesserungsmerkmale. mehr...

Der TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A.

Leistungselektronik-650-V-GaN-HEMT mit 41 mΩ

GaN-Leistungshalbleiter

11.08.2016Transphorm entwickelt und fertigt High-Electron-Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A bei einer Schaltspannung von 650 V und nur 41 mΩ Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von 175 nC bei voller JEDEC-Qualifikation. mehr...

CSM800: kompaktes Format und flexible Montage.

Leistungselektronik-Integrierte Wasserkühlung

Leistungskondensatoren auch für die Automobilindustrie

13.06.2016Leistungskondensatoren von Celem erweitern das Programm von Eurocomp. Neu sind unter anderem die rechteckigen Typen Quad 1001HV für 1000 kVAr sowie C500Q für 500 kVAr, Weiterentwicklungen der Quad- und C500-Serien für größere Spannungen und Kapazitäten von 8 bis 120 µF. mehr...

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