Leistungselektronik

Kosmischem Beschuss trotzen

Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

ic or chip in circuit board fire burn
Leistungselektronik-Primärschutz

SCHURTER: Schutz vor thermischem Durchgehen

25.09.2017- WhitepaperThermisches Durchgehen stellt in der Elektronik, wo immer mehr Leistung auf immer kleinerem Raum gepackt wird, eine ernste Bedrohung dar, der man mit klassischen Mitteln nur schlecht beikommt. Eine Lösung bieten SMD-Thermosicherungen, welche sich bei 260°C reflow-löten lassen und trotzdem bei 210°C auslösen. mehr...

Innoswitch3
Leistungselektronik-Innoswitch verbessert

Offline-Sperrwandler-ICs mit 94 % Wirkungsgrad

18.09.2017- ProduktberichtDie Innoswitch3-Schaltregler-ICs verringern die Leistungsverluste um 25 % und bieten einen konstant hohen Wirkungsgrad über weite Netzspannungs- und Lastbereiche hinweg. mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Die Liqualloy-Leistungs-Induktoren der GLU-Serie tragen zur Reduzierung der Leistungsaufnahme in mobilen Geräten mit OLED-Panels bei.
Leistungselektronik-Leistungsinduktoren

Geringere Leistungsaufnahme für OLED-Panels

11.09.2017- ProduktberichtDie Liqualloy-Leistungs-Induktoren der GLU-Serie von Alps Electric Europe tragen maßgeblich zur Reduzierung der Leistungsaufnahme in mobilen Geräten mit OLED-Panels bei. Die Volumenfertigung der neuen Induktoren hat bereits im Mai 2017 begonnen. OLED (Organic Light-Emitting Diode) -Panels werden zunehmend in Smartphones und anderen mobilen Geräte eingesetzt, dank ihrer besseren Bildqualität. mehr...

Bild 1: Referenzdesign für einen Dreiphasen-GaN-Wechselrichter mit hoher Schaltfrequenz.
Leistungselektronik-GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

04.09.2017- FachartikelAnders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. mehr...

Leitungshalbleiter
Leistungselektronik-Für 750 Millionen Dollar

Littelfuse kauft MOSFET-Spezialisten Ixys

31.08.2017- NewsDer US-Konzern Littelfuse investiert weiter in das Segment Leistungshalbleiter: Für 750 Millionen US-Dollar soll der IGBT- und MOSFET-Spezialist Ixys übernommen werden – die bisher größte Akquise der Unternehmensgeschichte. mehr...

Die DC/DC-Wandler der RxxP21503D-Serie von Recom sind speziell für die Versorung von SiC-MOSFETs der zweiten Generation ausgelegt.
Stromversorgungen-Für Leistungsschalter der zweiten Generation

2-W-DC/DC-Wandler für SiC-MOSFETs

31.08.2017- ProduktberichtHohe Schaltfrequenzen und -spannungen stellen eine der größten Herausforderungen bei der Ansteuerung von SiC-MOSFETs dar. Extreme Potentialunterschiede zwischen Steuerung und Leistungskreis können die Isolation mürbe machen und zu Fehlfunktionen führen. Um diesen Anforderungen zu entsprechen, hat Recom eine 2-W-DC/DC-Wandler-Serie speziell für die Versorgung aktueller SiC-MOSFETs vorgestellt. mehr...

Metallfolien-Chipwiderstände der MFC-Serie mit 3 W Nennleistung.
Leistungselektronik-Chipwiderstände höherer Leistungen

Metallfolien-Chipwiderstände mit 3 W Nennleistung

30.08.2017- ProduktberichtTT Electronics erweitert seine MFC-Serie von Metallfolien-Chipwiderständen um ein Bauteil im 2817er-Format, das bis zu 3 W Wärmeleistung abführen kann. mehr...

Lioness with young cub
Leistungselektronik-Hidden Champion der passiven Bauelemente

Leistungswiderstände trotzen Miniaturwahn

22.08.2017- FachartikelViele Bereiche der Elektronik legen das Hauptaugenmerk auf die Miniaturisierung und die Reduzierung des Energieverbrauchs. Infolgedessen müssen Entwickler auch auf kleinere Widerstände zurückgreifen. In der Leistungselektronik spielen jedoch andere Parameter eine wichtige Rolle bei der Wahl der Widerstände. mehr...

Die moderne Roboterproduktion hilft bei einer flexiblen Fertigung bem Schömberger Elektrotechnik-Unternehmen.
Leistungselektronik-Berechnung von elektrischen Aktuatoren

3D-Simulation spart wertvolle Entwicklungszeit

21.08.2017- ProduktberichtKosten und vor allem wertvolle Entwicklungszeit lassen sich durch den Einsatz eines neuen Software-Tools zur treffsicheren Berechnung von elektrischen Aktuatoren sparen. Eine neue 3D-Simulations-Software dafür wurde erstmals auf der Ausstellung und Konferenz für Spulenwicklung, Isolierung und Elektrofertigung CWIEME in Berlin vorgestellt. mehr...

Bild 2: Auf Applikationen angepasste Silikonfolien liefern ein optimales Verhältnis zwischen Wirtschaftlichkeit und Performance.
Leistungselektronik-Entwärmung gefällig?

Thermal-Interface-Materialien zum Kühlen elektronischer Baugruppen

18.08.2017- FachartikelDie Lösungsmöglichkeiten elektronische Baugruppen und Bauteile zu entwärmen, um diese in einem vorgegebenen Temperaturbereich langfristig und sicher zu betreiben, sind gleichermaßen vielfältig wie vielschichtig. Die richtige und optimale wärmetechnische Kontaktierung der zu kühlenden Bauteile auf der Wärmesenke hat hierbei einen maßgeblichen Einfluss. mehr...

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Bild 4: Sineformer-Filter von TDK Epcos.
Leistungselektronik-Kein unerwünschtes Rauschen

Ausgangsfilterung bei Wandlern und Wechselrichtern

07.07.2017- FachartikelDie meisten modernen Leistungswandler basieren auf Schalttechniken, um höchste Effizienz, kleinste Baugröße und geringste Kosten zu garantieren. Unvermeidlich entsteht dabei Schaltungsrauschen und Ausgangsfilter werden benötigt, um elektromagnetische Störungen (EMI) zu minimieren sowie einen zuverlässigen Betrieb des Wandlers und der Last zu gewährleisten. Dieser Beitrag befasst sich mit möglichen Filtertechniken. mehr...

Das Power-Management-IC kann in Anwendungen rund um das IoT, in der Home Automation oder in der drahtlosen Ortung verwendet werden.
Leistungselektronik-Power-Management-IC von E-Peas

Energy Harvesting und gute Leistungsfähigkeit

27.06.2017- ProduktberichtKamaka Electronic nimmt einen neuen Hersteller in sein Sortiment auf: E-Peas. Eines der ersten Produkte im Angebot ist das Power-Management-IC AEM10940, was neben konventionellen Anwendungen auch dem Energy Harvesting dient. mehr...

Für sein Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ wurde Franz Stubenrauch als einer von drei Ingenieuren mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet.
Leistungselektronik-Interview zum Young Engineer Award

„Durch Galliumnitrid gewinnt man einen Freiheitsgrad hinzu“

20.06.2017- InterviewSeit zehn Jahren werden auf der PCIM Europe Konferenz herausragende Erstveröffentlichungen junger Ingenieure aus der Leistungselektronik mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet. In diesem Jahr setzte der 29-jährige Forschungsingenieur und Doktorand Franz Stubenrauch bei seiner Präsentation auf der PCIM-Europe-Konferenz auf Galliumnitrid: Mit seinem Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ überzeugte er die Jury der Konferenz-Direktoren und durfte eine der begehrten Auszeichnungen mit nach Hause nehmen. all-electronics.de hat sich mit Franz Stubenrauch über das Potenzial des Halbleitermaterials unterhalten. mehr...

Bild 6: Die Gewinner des Isle of Man TT Zero-Rennens 2016 (von links): Daley Mathison, UoN/Murata (Dritter Platz); Bruce Anstey, Mugen/Honda (Erster Platz); William Dunlop, Victory (Zweiter Platz).
Stromversorgungen-Spannungswandler für extreme Belastungen

Ansteuerung von IGBTs in Elektro-Motorrädern

04.06.2017- FachartikelDie Entwicklung der Leistungsregelung für ein elektrisch angetriebenes Superbike ist ein komplexes Projekt. Murata arbeitete beim Design der Spannungswandler für die IGBT-Gatetreiber mit der Universität Nottingham zusammen. Gemeinsam wurden die Entwicklungsherausforderungen gemeistert. mehr...

Die dritte Generation der IGBTs von Rohm Semiconductor in Trench-Gate-Technologie und mit Field-Stop besitzt eine geringe Schwellspannung und gewähtleistet hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Leistungselektronik-Dünnes Substrat und optimierte Dotierung

IGBTs für 650 V in Trench-Gate-Technologie

18.05.2017- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert sein Angebot an IGBTs mit hoher Stromtragfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und geringen Schaltzeiten um eine dritte Generation. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in industriellen Anwendungen und Haushaltsgeräten, die sanftes und effizientes Schalten erfordern. mehr...

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