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Leistungselektronik

Maßgeschneiderte Leistungsmodule für jede Anwendung

Über 300 m² erstreckt sich das neue Testlabor von Rohm und bietet mehrere Prüfstände für verschiedene Bauteile aus dem Bereich der Leistungselektronik. Es gibt auch einen abgetrennten Hochvolt-Bereich.
Branchenmeldungen-Messung von Leistungselektronik-Bauelementen

Rohm eröffnet Testlabor

07.02.2018- NewsDer Halbleiterhersteller Rohm eröffnet ein Testlabor, das speziell für die Messung von Leistungselektronik ausgestattet ist. Verschiedene Prüfstände ermöglichen es dem Unternehmen, sämtliche Bauteile selbst zu testen. mehr...

Vollintegriertes Dickschicht-Leistungsmodul flowIPM 1B
Leistungselektronik-Maßgeschneiderte Leistungsmodule für jede Anwendung

Mit Blick auf EMV, thermische Anbindung und Integrationsdichte Kosten optimieren

13.12.2017- FachartikelDas Leistungsmodul ist eine Schlüsselkomponente in leistungselektronischen Anwendungen und daher oft Gegenstand für Kostenoptimierungen. Dabei gilt es jedoch, nicht jede Komponente getrennt zu betrachten, sondern die Kosten des Gesamtsystems. Der Beitrag beleuchtet konkrete Optimierungs- und Kompromissmöglichkeiten bei System- und Produktionskosten von Leistungsmodulen. mehr...

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Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

Eva-board BLDC-Motor-Driver
Leistungselektronik-Powertools, E-Bike

Bausteine und Test-Board für eine BLDC-Motorsteuerung

12.12.2017- Application NoteWerden Elektromaschinen aus einer Niedervoltbatterie versorgt, ist eine hochstromfähige Leistungselektronk mit hohem Wirkungsgrad gefragt. Hier werden Sie fündig. mehr...

Power Topologies Handbook
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Ein Handbuch über Schaltwandlertopologien

12.12.2017- Application NoteTexas Instruments bietet ein Handbuch mit vielfälltigen Schaltwandlertopologien zum Download an. mehr...

Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine.
Leistungselektronik-Schnelle Schaltzeiten

GaN-Halbbrücke mit 50 Volt pro Nanosekunde

12.12.2017- Application NoteTI erklärt, mit welchen entscheidenden Layout-Maßnahmen GaN-Leistungshalbleiter ihre maximale Effizienz erreichen können. mehr...

Avalanche-Effekt
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Wissenswertes über den Avalanche-Effekt

12.12.2017- Application NoteInfineon untersucht den Avalanche-Effekt bei MOSFETs und informiert detailliert über Aspekte, die Entwickler übersehen, missachten oder einfach nicht kennen. mehr...

Neue MOS-Leistungshalbleiter in alten Footprints von Infineon
Leistungselektronik-SOT-223 statt DPAK

Neue MOS-Leistungshalbleiter in alten Footprints

12.12.2017- Application NoteNeue Cool-MOS-P7-Leistungshalbleiter im SOT-223-Gehäuse ersetzen alte DPAK-Typen in bestehenden Layouts. Wichtiges Kriterium ist dabei das Wärmemangement. mehr...

Profibus-DP-Nodes mit IL3685
Leistungselektronik-Hardware-Design-Guide

Was Profibus-Kompatibilität bedeutet

11.12.2017- Application NoteIn dieser Application Note erklärt Hy-Line, was es beim Hardware-Design mit Profibus zu beachten gilt, damit es nicht zu Ausfällen kommt. mehr...

Blockdiagramm mit einem IGBT.
Leistungselektronik-IGBTs und MOSFETs treiben

Steuerspannung sicher und zuverlässig galvanisch getrennt ans Gate

11.12.2017- Application NoteHy-Line erklärt in diesem Whitepaper, was es bei der Verwendung einesIGBT zu beachten gibt und wie sie einzusetzen sind. mehr...

Unterschiede in der JFET-Region der aktiven Zelle.
Leistungselektronik-SiC-Power-MOSFETs auf 4H-SiC-Basis

Robuste 4H-SiC-Dioden und MOSFETs der 2. Generation

07.12.2017- ProduktberichtUnter den xH Polytypen bei SiC-Halbleitern verspricht man sich von der 4H generell eine Steigerung wesentlicher Parameter bei Avalanche- und Strahlungsfestigkeit. Microsemi kündigt erste Typen von Dioden und Leistungs-MOSFETs in dieser Ausführung an. mehr...

Die Schrittmotor-Treiber TB67S289FTG detektieren und verhindern automatisch Motorstillstände.
Leistungselektronik-Verhindert Schrittverluste und Motorstillstände

Treiber-IC mit Anti-Stillstand-Architektur

05.12.2017- ProduktberichtToshiba kündigt den Schrittmotor-Treiber TB67S289FTG an, dessen Architektur automatisch einen Motorstillstand während des Betriebs detektiert und verhindert. mehr...

powerful fist
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Halbleiter durchbrechen Barrieren

GaN- und GaAs erhöhen Leistung und Bandbreite von HF-Verstärkern

24.11.2017- FachartikelHöhere Datenraten in Telekommunikationsanwendungen und Industriesystemen mit höherer Auflösung lassen die Arbeitsfrequenzen der darin enthaltenen Elektronikschaltungen in die Höhe schnellen. GaAs- und GaN-Transistoren mit kürzeren Gate-Längen in Verbindung mit verbesserten Techniken zur Entwicklung von Schaltkreisen ermöglichen Bausteine, die gut bei Frequenzen im Millimeterbereich arbeiten können und somit neue Anwendungen erschließen. mehr...

Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.
Leistungselektronik-Mit niedrigem Durchlasswiderstand

N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V im DPAK-Gehäuse

17.10.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit den Leistungs-MOSFETs für 40 V und 60 V Leistungs-Bauelemente an, die im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden. mehr...

GaNonSi-Leistungstransistor
Leistungselektronik-Flughafenüberwachung im L-Band

GaN-on-Si-Leistungstransistor für Radar-Überwachungssysteme

16.10.2017- ProduktberichtMacom stellt mit dem GaN-on-Si-Leistungstransistor MAGX-101214-500 ein Bauelement für gepulste L-Band-Radarsysteme vor. Der Transistor ist für Flughafenüberwachungs-Radarsysteme (Airport Surveillance Radar, ASR) im Frequenzbereich von 1,2 bis 1,4 GHz ausgelegt. mehr...

Die Leistungs-MOSFET-Treiber konzipierte Allegro speziell für Automotive-Anwendungen.
Leistungselektronik-Für hohe induktive Lasten

Leistungs-MOSFET-Treiber

03.10.2017- ProduktberichtMit zwei Treibern von Allegro lassen sich MOSFETs in einer Halbbrücke ansteuern. Sie eignen sich speziell für Automotive-Anwendungen mit hohen induktiven Lasten. mehr...

Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

ic or chip in circuit board fire burn
Leistungselektronik-Primärschutz

SCHURTER: Schutz vor thermischem Durchgehen

25.09.2017- WhitepaperThermisches Durchgehen stellt in der Elektronik, wo immer mehr Leistung auf immer kleinerem Raum gepackt wird, eine ernste Bedrohung dar, der man mit klassischen Mitteln nur schlecht beikommt. Eine Lösung bieten SMD-Thermosicherungen, welche sich bei 260°C reflow-löten lassen und trotzdem bei 210°C auslösen. mehr...

Innoswitch3
Leistungselektronik-Innoswitch verbessert

Offline-Sperrwandler-ICs mit 94 % Wirkungsgrad

18.09.2017- ProduktberichtDie Innoswitch3-Schaltregler-ICs verringern die Leistungsverluste um 25 % und bieten einen konstant hohen Wirkungsgrad über weite Netzspannungs- und Lastbereiche hinweg. mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

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