Leistungselektronik

Blick in die Zukunft der Leistungselektronik

Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.
Leistungselektronik-Für leistungsstarke Sperrwandler

Superjunction-MOSFETs mit 900 V Durchbruchspannung

10.03.2017Die MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs von ST Microelectronics sollen bis 900 V durchbruchsicher sein und eignen sich für den Einsatz in Systemen die hohe Leistungen fordern. Die hohe Durchbruchspannung gibt den Bauteilen zusätzliche Reserven in Systemen mit hohen Busspannungen. Damit eignen sich die Bauelemente für den Einsatz in Server-Netzteilen, 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge oder industrielle Anwendungen. mehr...

Bild 2: Gewichtsoptimierte SMD-Kühlkörper zur direkten Verklebung auf dem Bauteil oder Verlötung auf der Leiterkarte für die Wärmeableitung kleinerer Verlustleistungen.
Wärmemanagement-Effiziente Kühlkörpertypen

An die Leistungsklasse angepasste Entwärmungskonzepte

08.03.2017Die Tendenz in der Halbleiterindustrie geht zu immer kleiner werdenden Bauteilen. Stetig steigende Leistungsdichten bei kleineren Bauteilabmessungen, bedeuten mehr Packungsdichte für komplexe Elektronik. Diese Schaltungen erbringen einen Technologiesprung, bedürfen aber ebenfalls geeignete Entwärmungskonzepte, welche an die Erfordernisse zur Sicherstellung der Halbleiterfunktion angepasst sind. mehr...

ZigBee Light Link zertifiziertes Vorschaltgerät mit Power PWM Interface für 12/24V RGB-/RGBW-LED-Streifen.
Leistungselektronik-Warmweiß- und Kaltweiß-Steuerungsmöglichkeit

Vorschaltgerät für lichtstarke Konstantspannungs-LED-Streifen

27.02.2017Warmes und atmosphärisches Licht oder kühle und klare Beleuchtung fungieren als Emotionsträger. Um nun eine intelligente Beleuchtungssteuerung im Bereich der einstellbaren Farbtemperaturen zu ermöglichen, kommt ein neues Vorschaltgerät auf den Markt, welches durch eine dynamische Warmweiß- und Kaltweiß-Steuerungsmöglichkeit mit einer gemeinsamen Anode punktet. mehr...

Mehr Aussteller und Ausstellungsfläche: In den Hallen 6, 7 und 9 werden sich über 450 internationale Aussteller auf einer Fläche von 22.500 m² auf der PCIM Europe 2017 Mitte Mai in Nürnberg ein Stelldichein geben.
Leistungselektronik-Blick in die Zukunft der Leistungselektronik

PCIM Europe 2017: Technologien am Puls der Zeit

22.02.2017Mit einem starken Wachstum bei den Ausstellern zeigt die PCIM Europe 2017 bereits knapp drei Monate vor Messestart eine sehr positive Entwicklung. Über 450 Aussteller aus 28 Nationen, werden sich vom 16. bis 18. Mai 2017 in Nürnberg ein Stelldichein geben und zukunftsweisende Entwicklungen entlang der gesamten Wertschöpfungskette der Leistungselektronik zeigen. Die E-Mobility-Plattform soll da als Publikumsmagnet wirken. mehr...

Der Schrittmotortreiber A3916 von Allegro Microsystems ist im 16-poliges QFN und 20-poligen QFN erhältlich.
Leistungselektronik-Nur vier externe Bauelemente nötig

Schrittmotortreiber liefert Ausgangsströme bis zu 1 A pro Kanal

21.02.2017Allegro Microsystems stellt mit dem A3916 einen Low-Voltage Bipolar-Schrittmotor-/Dual-DC-Motortreiber vor. mehr...

Leistungselektronik-Closed-Loop-Funktion und S-förmige Beschleunigungsrampen

Dreiachsige Schrittmotorsteuerungen mit viel Power

10.02.2017MEV stellt mit den Modulen TMCM-3314 und TMCM-3315 zwei weitere Trinamic-Schrittmotorsteuerungen der 4. Generation vor. Diese basieren auf den neuesten Motion-Controller- und Motortreiber-Technologie und sind die ersten Mehrachssteuerungen mit Closed-Loop-Funktion und S-förmigen Beschleunigungsrampen. mehr...

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Leistungselektronik-Für Schaltwandler und Motorsteuerungen

IGBT-Treiber-Modul bis 800 V

14.12.2016Hy-Line Power hat  ein universelles IGBT-Treiber-Board speziell mit Scale-iDriver-ICs der Serie SID1182K von Power Integrations im Lieferprogramm. mehr...

Der Controller ist für Einsätze im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C geeignet.
Leistungselektronik-Geringer Verbrauch im Standby

Controller für Quasi-Resonanz-AC/DC-Wandler

12.12.2016Um die heute geforderten Energieeinsparungen und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen, brauchten Schaltungsdesigner bisher eine große Anzahl von Bauelementen. Um den Platzbedarf von Schaltungen zu verringern, kombiniert Rohm analoge Entwicklungstechnologie mit fortschrittlicher SiC-Leistungselektronik (Siliciumkarbid). mehr...

Ersatzschaltbild zur Ermittlung der einzelnen Impedanzen.
Leistungselektronik-Bessere Performance und Schaltcharakteristik

Auswirkungen der Quellenimpedanz auf DC/DC-Wandler

08.12.2016Hy-Line veröffentlicht einen Entwicklungsleitfaden von Vicor, der die Auswirkung der Quellenimpedanz auf die Leistungsfähigkeit und Charakteristik von DC-DC-Wandlern analytisch untersucht. mehr...

Leistungselektronik-Motion-Control Reference Design

Komplett elektrische Roboter entwickeln

05.12.2016Einhergehend mit dem Trend von hydraulischen zu elektrischen Roboterantrieben können Hersteller von elektronischen Komponenten nun umfassende Motorsteuerungsreferenzkonzepte einschließlich Motoren, MOSFETs und Treiber, Prozessoren, Algorithmen und sogar Leistungsverbinder anbieten. mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Der Leistungshalbleiter AEM10940 eignet scih für verschiedene stromsparende Sensoranwendungen.
Leistungselektronik-Power-Management-IC

Mehr Leistungsfähigkeit und effizienteres Energy Harvesting

25.11.2016Nach dem Markteintritt für Leistungshalbleiter Anfang dieses Jahres kündigt E-Peas nun die Verfügbarkeit seines ersten ICs an. Das Power-Management-IC AEM10940 basiert auf einer von E-Peas entwickelten Energy-Management-Technologie, mit der Elektronik-Hardware bei hohem Wirkungsgrad Energie aus der Umgebung beziehen kann. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016Infineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Die 48-Volt-Technologie für Fahrzeuge hilft den Kraftstoffverbrauch zu senken, reduziert die Umweltbelastung und kann die Motorleistung steigern.
Passive Bauelemente- Buck-Boost-Konverter für 12/48-Volt-Netz

48-Volt-Systeme

23.11.201648-Volt-Systeme sind eine Erweiterung der 12-Volt-Netze für leistungsstarke Verbraucher. Wichtigste Systemkomponente eines kombinierten 12/48-Volt-Netzes ist ein bis 5 kV ausgelegter Buck-Boost-Konverter, der den bidirektionalen Energiefluss zwischen den beiden Spannungsebenen ermöglicht. Für die Speicher- und Glättungsdrosseln in den Wandlern hat TDK zwei neue Serien von Epcos Leistungsinduktivitäten entwickelt. mehr...

Leistungselektronik benötigt zum Funktionserhalt effiziente Kühlung.
Wärmemanagement-Kühllösungen zum Ableiten der Verlustleistung

Leistungselektronik effizient kühlen

04.11.2016CTX Thermal Solutions bietet verschiedene Kühllösungen wie Profil-, Brazed- und Flüssigkeitskühlkörper, die die Verlustleistung ableiten und damit die Lebensdauer der Leistungselektronik erhöhen. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016Stromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

Rohm präsentiert Power-Management-Lösungen für den Automotive- und Industriebereich.
Leistungselektronik-Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

Lösungen für den Automotive- und Industriebereich

31.10.2016Rohm Semiconductor präsentiert auf der Electronica Power-Management-Lösungen für Anwendungen im Automotive- und Industriebereich sowie für das Home-Segment. mehr...

IGBT-Module MG12600WB_BR2MM
Leistungselektronik-Umrichter mit hohen Wirkungsgraden

IGBT-Module erweitern den Strombereich

28.10.2016Jüngste Ergänzung bei den IGBT-Modulen von Littelfuse ist die Baureihe MG12600WB-BR2MM. Die 1200-V-Module in Halbbrückenkonfiguration erweitern den Strombereich von bisher 450 auf jetzt 600 A und ermöglichen den Aufbau von Umrichtern mit hohen Wirkungsgraden. mehr...

Der Scale-iDriver ist in drei Varianten für 2,5; 5 und 8 A Treiberstrom lieferbar.
Leistungselektronik-IGBT-Treiber für Applikationen bis 400 kW

IGBT- und MOSFET-Treiber

28.10.2016Die Scale-IGBT-Treiber von Power Integrations (Vertrieb: Hy-Line Power Components) minimieren durch hohe Integration die Komponentenzahl und machen Zusatzfeatures möglich. mehr...

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