Leistungselektronik

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.

Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).

Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Bild 1: Funktionsschema eines herkömmlichen Mikrowellenherdes (links) und der Halbleitervariante (rechts).

Leistungselektronik-Mikrowellentechnik

Halbleiter ersetzen Magnetrons in Mikrowellenherden

07.09.2016Deutlich effizienter als ein klassischer Hohlkammerresonator (Magnetron) erzeugen Halbleiterbausteine das Hochfrequenzfeld in Mikrowellenherden. Sie lassen sich präzise steuern und weisen keine alterungsbedingten Leistungsverluste auf. Ampleon stellt Entwicklern von Haushaltsgeräten dieses Konzept genauer vor. mehr...

Der Semix 3 Press-Fit Shunt senkt die Systemkosten durch integrierte Strommessung.

Leistungselektronik- Integrierte Shunt-Widerstände in Leistungsmodulen

Optimieren durch Integrieren

29.08.2016Der Markt für Frequenzumrichter bietet heute eine große Anzahl funktional ähnlicher Geräte. Eine Differenzierung ist nur noch über applikationsspezifische Sondergeräte oder die Reduzierung der Kosten möglich. Die Integration von Zusatzfunktionen ins Leistungsmodul ist eine Möglichkeit zur Optimierung der Kosten. Semikron bietet in der Semix 3 Press-Fit-Baureihe IGBT-Module in Halbbrückentopologie mit integrierten Shunts zur Strommessung. mehr...

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Analog + Mixed Signal-BLDC-Motorsteuerung

Gleichmäßige, leise und effiziente BLDC-Antriebe

18.08.2016Eine Controller-Treiber-Schaltung mit gutem Regler erlaubt es, effiziente, vibrationsarme und leise BLDC-Antriebe schnell und mit geringen Beschaltungsaufwand zu realisieren. Toshiba stellt hierfür einen hochintergrierten Baustein vor und erläutert die besonderen Verbesserungsmerkmale. mehr...

Der TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A.

Leistungselektronik-650-V-GaN-HEMT mit 41 mΩ

GaN-Leistungshalbleiter

11.08.2016Transphorm entwickelt und fertigt High-Electron-Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A bei einer Schaltspannung von 650 V und nur 41 mΩ Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von 175 nC bei voller JEDEC-Qualifikation. mehr...

CSM800: kompaktes Format und flexible Montage.

Leistungselektronik-Integrierte Wasserkühlung

Leistungskondensatoren auch für die Automobilindustrie

13.06.2016Leistungskondensatoren von Celem erweitern das Programm von Eurocomp. Neu sind unter anderem die rechteckigen Typen Quad 1001HV für 1000 kVAr sowie C500Q für 500 kVAr, Weiterentwicklungen der Quad- und C500-Serien für größere Spannungen und Kapazitäten von 8 bis 120 µF. mehr...

Die Autoresonant-Technologie des LTC4125 garantiert die Übertragung von ausreichend Energie.

Akkus + Batterietechnik-Energie drahtlos übertragen

Laden ohne Kabel

08.06.2016In vielen batteriebetriebenen Applikationen, wie sie zunehmend im Markt zu finden sind, ist der Ladestecker schwierig oder gar unmöglich anzubringen. Dazu zählen Geräte, die hermetisch dicht gegen Umwelteinflüsse, Reinigung oder Sterilisation sein müssen, sowie Geräte, die einfach zu klein sind, um einen Stecker aufzunehmen. Drahtloses Laden ist in solchen Fällen eine zuverlässige und robuste Lösung, wobei sich die Energie üblicherweise kapazitiv oder induktiv über geringe Entfernungen von wenigen Zentimetern übertragen lässt. Dieser Artikel stellt ein System zur induktiven Kopplung vor. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.

Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016Die Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Leistungselektronik-Dreifache Schaltgeschwindigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs für Leistungswandler-Designs

17.05.2016Bisher unerreichte Leistungsdichte und Performance für Leistungswandler verspricht der Einsatz der neuen Cool-SiC-MOSFETs von Infineon. So hat sich die Schaltgeschwindigkeit verdreifacht und die dynamischen Verluste sind laut Infineon um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Si-IGBTs. mehr...

Leistungselektronik-Versorgungsnetze

Stromversorgung für schnelle A/D-Wandler entwickeln

17.05.2016Zur Versorgung von A/D-Wandlern mit Abtastraten im Gigasample-Bereich sind spezielle Stromversorgungsnetze erforderlich, die sich mit Linearreglern (LDOs) oder mithilfe von Schaltreglern entwickeln lassen. Um die Vor- und Nachteile beider Lösungen geht es in diesem Beitrag. mehr...

Bild 1: Leistungsmodule der Generation Primepack in IGBT5-Technologie für Spannungsklassen von 1200 und 1700 V.

Leistungselektronik-IGBT-Chiptechnologie

Neue Freiheitsgrade in der IGBT-Leistungselektronik

11.05.2016Leistungsmodule der Generation Primepack mit IGBT5-Technologie basieren auf einem robusten Gehäusekonzept und erreichen eine höhere Leistungsdichte als ihre Vorgänger. Rutronik erklärt wesentliche Verbesserungen gegenüber der IGBT4-Technologie und zeigt Vorteile anhand einiger Industrieanwendungen auf. mehr...

Bild 3:	 Großvolumige Hochleistungslüfteraggregate ergeben in Verbindung mit Radiallüftermotoren extrem kleine Wärmewiderstände.

Wärmemanagement-Immer schön cool bleiben

Effiziente Entwärmung mit Luft und Wasser

09.05.2016Bei den hohen abzuführenden Verlustleistungen elektronischer Bauelemente stößt die freie Konvektion durch klassische Aluminiumstrangkühlkörper an ihre Grenzen. Hier ist der Einsatz einer aktiven Entwärmung oder einer Flüssigkeitskühlung gefragt. mehr...

Besonders niederinduktive Kondensator der AVX Baureihe FFVS von TPR.

Leistungselektronik-Streuinduktivität 8 bis 13 nH

Folien-Leistungskondensatoren für hohe Frequenzen

30.04.2016Für Zwischenkreisanwendungen wie sie beim Einsatz von Siliziumkarbid-Bausteinen vorkommen hat TPC (Vertrieb: Muecap) den besonders niederinduktiven Kondensator FFVS entwickelt. mehr...

Speziell zur Montage auf Platinen kommen Filmkondensatoren mit einer sehr langen Lebensdauer und einer guten Temperaturbeständigkeit bis 100 °C zum Einsatz.

Passive Bauelemente-Vollverschweißt und langlebig

Kondensatoren für hohe Blitzfrequenzen

29.04.2016Kondensatoren von FTCAP Fischer und Tausche Capacitors entsprechen hohen Anforderungen an Belastbarkeit. Das Husumer Unternehmen entwickelte speziell für professionelle Blitzanwendungen Kondensatoren, die eine hohe Energiedichte bei Stabilität über einen langen Zeitraum gewährleisten. mehr...

Wireless-Kombiniertes Know-how

Wireless Power und Sensorik in einem Baustein

22.04.2016IDT kombiniert die eigenen Wireless-Power-ICs mit der kürzlich von ZMDI erworbenen Signalaufbereitungstechnik, um neue programmierbare Halbleiterbausteine zu entwickeln. Die in der Entwicklung befindlichen ICs eignen sich für viele unterschiedliche Anwendungen. mehr...

Leistungstransistoren MAGb: GaN-Leistung zu LDMOS-Kosten

Leistungselektronik-Besser und kleiner als LDMOS

Hochleistungsfähige GaN-Leistungstransistoren

15.04.2016Leistungstransistoren der Serie MAGb von Macom verbinden GaN-Performance mit einer LDMOS-ähnlichen Kostenstruktur. Die Bausteine sind für den Einsatz in Makro-Basisstationen vorgesehen und basieren auf der GaN-Technologie Gen4 des Unternehmens. mehr...

E-Industrie-Cover_03

Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016Industrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

Vollbrücken-Gate-Treiber-ICs A4955/56 und A5957

Leistungselektronik-Schnittstelle für Industrie- und Konsumeranwendungen

Motorsteuerungs-ICs mit Gatetreiber

11.04.2016Über eine einfache Mikroprozessorlogik können die Vollbrücken-Gate-Treiber-ICs A4955/56 und A5957 von Allegro Microsystems verschiedene DC-Bürstenmotoren ansteuern. Alle drei eignen sich für Motorversorgungsspannungen bis 50 V und Lastströme bis 20 A. mehr...

Das SiC-MOSFET-Treiberboard vereinfacht die Evaluation der SiC-MOSFET-Module.

Leistungselektronik-Evaluationboard

Vereinfachtes Design-in von SiC-Leistungsmodulen

07.04.2016Im Vergleich zu reinen Silizium-Halbleitern bieten SiC-Halbleiter einen größeren Bandabstand oder Wide-Band-Gap. Während Silizium einen Bandabstand von 1,12 eV hat, reicht der von SiC bis 3,2 eV. Microsemi hat ein sehr großes Angebot an SiC-MOSFETs. Auch SiC-MOSFET-Treiberboards sind im Programm, um die Evaluation der Module beim Kunden zu vereinfachen. mehr...

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