Die Produkt-Roadmap von D3 Semiconductor verbindet Mixed-Signal-Funktionen mit Hochspannungsschaltelementen. Dadurch will das Unternehmen zuverlässige und für eine Vielzahl von Anwendungen maßgeschneiderte Leistungsbauelemente bereitstellen. Neben der Unterstützung der Märkte in Amerika und Europa besitzt D3 über seine Tochtergesellschaft D3 Asia zudem eine Präsenz in Asien.

Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.

Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich. D3 Semiconductor

Die +FET-Superjunction-MOSFETs sind für 650 V Betriebsspannung ausgelegt und bedienen damit Anwendungsfelder, in denen üblicherweise IGBTs zum Einsatz kommen. Mit einem Einschaltwiderstand (RDS(on)) im Bereich von 32 mΩ bis 1000 mΩ zeigen die Bauelemente eine verbesserte Leistungsfähigkeit in Niederfrequenzanwendungen sowie eine erhöhte Schaltgeschwindigkeit. D3 testet die Bauelemente während der Fertigung mit Avalanche-Strömen von bis zu 100 Prozent, um robuste Lösungen für anspruchsvolle Anwendungen bieten zu können. Die MOSFETs erfüllen die Norm JESD 22 für elektrostatische Entladungen (ESD) und wurden für eine Dauer von mehr als 3000 Stunden einem Belastungstest im Hochtemperatur-Sperrbetrieb unterzogen.

„Einzigartig an 3D Semiconductors +FET-Superjunction-Technologie ist die Verbindung der Leistung und Effizienz von Superjunction-Architekturen mit Mixed-Signal-Präzision“, erklärt Kristin Schuetter, Vizepräsidentin für das Lieferantenmanagement, Halbleiterprodukte bei Mouser Electronics. „Unsere Kunden aus vielen anspruchsvollen, hochzuverlässigen Branchen der Leistungselektronik werden von D3s leistungsstarken, skalierbaren Lösungen profitieren.“