Ramtron hat jetzt ein FRAM (ferroelektrisches RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit vorgestellt und damit die Speicherkapazität seiner FRAMs vervierfacht. Das neue 4-Mbit-FRAM ist als direkter Drop-in-Ersatz für standardmäßiges asynchrones SRAM konzipiert, aber das FRAM ist SRAM jedoch weit überlegen, da es zur Datenerhaltung keine Batteriepufferung benötigt. Der FM22L16 genannte Baustein ist eine echte Surface-Mount-Lösung; er erfordert keine Nachbearbeitungsschritte für den Batterieanschluss und ist im Gegensatz zu SRAM sehr resistent gegenüber Feuchtigkeit, Stoßeinwirkung und Vibration.

Der 16 x 256 K organisierte Speicherbaustein FM22L16 ist ein nichtflüchtiges paralleles 4-MBit-RAM für 3 Volt in einem „Thin Small Outline Plastic“-Gehäuse (TSOP). Er zeichnet sich durch einen Zugriff binnen 55 ns, eine praktisch unbegrenzte Anzahl Lese-/Schreibzyklen und einen Stromverbrauch von 18 mA bei Lesen und Schreiben bzw. 5 µA im Standby-Betrieb aus. Das Bauteil ist pin-kompatibel zu asynchronem statischem RAM (SRAM) und übersteht im industriellen Temperaturbereich von -40 bis +85 °C „mindestens 100 Milliarden Schreibvorgänge bei einem Datenerhalt von 10 Jahren“. (av)