Punkten mit Vorteilen, wie einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem hohen Gehäusenennstrom: die Trench-Hexfet-Leistungsmosfets.

Punkten mit Vorteilen, wie einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem hohen Gehäusenennstrom: die Trench-Hexfet-Leistungsmosfets.

International Rectifiers Trench-Hexfet-Leistungsmosfet-Serie zeichnen sich durch einen hohen Gehäusenennstrom aus und ist damit für industrielle Akku- und Batterieversorgung, Stromversorgungen, Hochleistungs-Gleichstrommotoren sowie Elektrowerkzeuge prädestiniert. Die Leistungsbausteine verfügen über einen Gehäusenennstrom bis 195 Ampere, was im Vergleich zu in der Regel auftretenden Gehäuse-Nennströmen eine Verbesserung von etwa 60 Prozent bedeutet. Darüber hinaus konnte der Hersteller den Einschaltwiderstand RDS(on) der Mosfets verbessern. Die Leistungshalbleiter sind in den weithin verbreiteten Gehäusen TO-220, D2PAK und TO-262 lieferbar.
Mit dem 7-Pin-D2PAK-Gehäuse lässt sich nach Herstellerangaben ein Gehäusenennstrom von 240 Ampere erzielen. Zudem bietet das D2PAK-7 im Vergleich zum normalen D2PAK eine weitere Senkung des RDS(on).
Vor Transienten schützen Der hohe Gehäusenennstrom sorgt für einen erweiterten Schutz gegen unerwünschte Transienten und trägt zu einer reduzierten Bauelementeanzahl bei parallel aufgebauten Topologien bei, wo mehrere Mosfets einen hohen Strom teilen.
Die bereits in hohen Stückzahlen lieferbaren N-Kanal-Mosfets stehen im Spannungsbereich von 60 bis 200 Volt zur Verfügung und sind für den industriellen Einsatz sowie für Feuchtigkeits-Empfindlichkeitslevel 1 (MSL1) zertifiziert. (eck)