Sorgen für weniger Schalt- und Leitungsverluste: Die 30-V-Leistungsmosfets im TO-220-Gehäuse.

Sorgen für weniger Schalt- und Leitungsverluste: Die 30-V-Leistungsmosfets im TO-220-Gehäuse.

„Wir haben eine Familie für den Industrieeinsatz qualifizierter 30-Volt-Hexfet-Leistungsmosfets im TO-220-Gehäuse herausgebracht“, berichtet Hemal Shah, Marketing Manager für die Power Management Devices Business Unit von IR in El Segundo. Er nennt die Vorteile: „Sie zeichnen sich durch eine niedrige Gate-Ladung aus und eignen sich deshalb für den Einsatz in Wechselrichtern für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, in Niederspannungs-Elektrowerkzeugen, O-Ring-Anwendungen und in Stromversorgungen für die Netzkommunikation sowie für Server.“ Die robusten Mosfets setzen die moderne Trench-Technologie des kalifornischen Herstellers ein und bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand RDS(ON), wodurch sich die Verlustwärme senken lässt.
Darüber hinaus trägt die niedrige Gateladung der Leistungsbausteine zur Verlängerung der Akkulaufzeiten von USV-Wechselrichtern oder Elektrowerkzeugen bei. „Diese Mosfets, bei denen Lawinenspannung und Lawinenstrom vollständig charakterisiert sind, stellen einen direkten Ersatz und Verbesserungen für bereits ­vorhandene 30-Volt-TO-220-Bausteine in der Weiterentwicklung von Benchmark-Mosfets durch IR dar“, betont Hemal Shah. Die Bausteine sind für den Einsatz im industriellen Umfeld sowie für Feuchtigkeitsempfindlichkeitspegel 1 (MSL1) qualifiziert. Die RoHS-konformen Leistungskomponenten stehen im TO-220-Gehäuse zur Verfügung. Sie kommen bleifrei auf den Markt. (eck)