Die GaN-Bausteine basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beiden Unternehmen können nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfähige GaN-Bausteine herstellen. Kunden profitieren damit von zwei möglichen Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse: eine Möglichkeit, die es bislang für keinen anderen GaN-on-Silicon-Baustein gab.