Diese Transistoren basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beide Unternehmen können nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfähige GaN-Bausteine herstellen. Den potenziellen Käufern stehen somit zwei mögliche Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse zur Verfügung. Eine derartige echte Second-Source gab es bislang für keinen anderen GaN-on-Silicon-Baustein. Die Partner haben sich darauf verständigt, keine weiteren Vertragsdetails zu veröffentlichen.

Muster eines mit 600 V spezifizierten 70-mΩ-Bausteins in einem DSO-Gehäuse (Dual Small Outline) werden die Unternehmen erstmalig auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC) vorstellen, die vom 15. bis 19. März 2015 in Charlotte/North Carolina (USA) stattfindet.

GaN-on-Silicon

GaN-on-Silicon gilt als eine der nächsten Verbindungshalbleitertechnologien, die einerseits eine hohe Leistungsdichte und deshalb kleinere Montageflächen beispielsweise für Stromversorgungen und Adapter ermöglicht. Andererseits dient sie als wesentlicher Schlüssel zur Verbesserung des Wirkungsgrads. Auf der GaN-on-Silicon-Technologie basierende Leistungshalbleiter können generell in einem breiten Anwendungsspektrum zum Einsatz kommen: von industriellen Hochvolt-Anwendungen wie Stromversorgungen in Serverfarmen (ein potenzielles Einsatzgebiet des ausgestellten 600-V-GaN-Bausteins) bis hin zu Niederspannungs-Applikationen wie die DC-DC-Umwandlung in High-End Verbrauchsgütern.

Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt für auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50% ansteigen – allerdings von derzeit noch sehr moderaten Umsätzen ausgehend. Das Volumen, das 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, würde damit bis zum Jahr 2023 auf 800 Millionen USD zulegen.

„Es ist unser Anspruch, die Kunden von Infineon mit einem branchenführenden Produkt- und Technologie-Portfolio zu versorgen”, konstatiert Andreas Urschitz, Leiter des Geschäftsbereichs Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG. „Das schließt zuverlässige Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis ein. Mit dem selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Schalter in Verbindung mit dem dazugehörigen Treiber und einer optimierten Ansteuerschaltung können wir … einen hohen Mehrwert liefern. Und unser Dual-Sourcing-Konzept hilft unseren Kunden zusätzlich dabei, Versorgungsketten zu managen und zu stabilisieren.” 

„Panasonic konnte die selbstsperrende GaN-Leistungstechnologie, die sich durch eine einfache Konfiguration und leicht zu regelnde Dynamik auszeichnet, aufgrund der Erfahrung im Bereich der Verbindungshalbleiter entwickeln”, sagte Toru Nishida, President of Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd. „Mit der Lizenzvergabe der selbstsperrenden GaN-Transistorstruktur an Infineon erwarten wir eine schnellere Verbreitung von GaN-Leistungshalbleitern. Mit der innovativen Weiterentwicklung unserer selbstsperrenden GaN-Technologie werden wir kontinuierlich zu Lösungen von verbraucherspezifischen Anforderungen beitragen.”