Der 600-V-Galliumnitrid (GaN)-Transistor TPH3205WS in einem TO-247-Gehäuse.

Der 600-V-Galliumnitrid (GaN)-Transistor TPH3205WS in einem TO-247-Gehäuse.Transphorm

In einem TO-247-Gehäuse verfügt der Transistor über einen On-Widerstand von 63 mΩ, die maximale Strombelastbarkeit beträgt 34 A. Er nutzt das Quiet-TabTM-Anschlusskonzept von Transphorm, das elektromagnetische Störungen bei hohen Anstiegsgeschwindigkeiten (dv/dt) reduziert, um geringe Schaltverluste und einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb in Netzteil- und Wechselrichterschaltungen zu ermöglichen. Der neue Baustein erweitert Transphorms EZ-GaNTM-Produktportfolio, das nun PV-Wechselrichter mit Leistungsstufen von einigen 100 W (Mikro-Wechselrichter) bis zu mehreren kW Zentralwechselrichter für Gebäude) unterstützt.