Die 1200-V-IGBTs der H-Serie bieten hohe Leistungsfähigkeit in hart schaltenden Systemen.

Die 1200-V-IGBTs der H-Serie bieten hohe Leistungsfähigkeit in hart schaltenden Systemen.STMicroelectronics

Um bis zu 15 Prozent geringere Abschaltverluste und um bis zu 30 Prozent reduzierte Einschaltverluste weisen die 1200-V-IGBTs auf. Die auf 2,1 V (typisch bei nominellem Kollektorstrom und 100 °C) reduzierte Sättigungsspannung VCE(sat) bürgt für geringe Gesamtverluste und ermöglicht damit einen effizienteren Betrieb bei Schaltfrequenzen über 20 kHz.

Zusätzlich bieten sie die Option einer integrierten antiparallelen Diode mit sehr kurzer Sperrverzögerungszeit, was für hohe Leistungsfähigkeit in hart schaltenden Systemen sorgt und die Energieverluste in Schaltungen mit Freilaufdiode minimiert.

Darüber hinaus sind sie äußerst robust und ermöglichen einen Betrieb ohne Latch-up-Effekte bis zum Vierfachen des Nennstroms sowie eine Kurzschlusszeit von 5 µs (bei einer anfänglichen Sperrschichttemperatur von 150 °C). Die auf 175 °C angehobene maximale Sperrschichttemperatur im Betrieb trägt zur Verlängerung der Nutzungsdauer bei und vereinfacht die Kühlung der Systeme. Der große sichere Arbeitsbereich (Safe Operating Area – SOA) steigert die Zuverlässigkeit in Anwendungen mit hohen Verlustleistungen.

Zu den weiteren Pluspunkten dieser Bausteine gehören die guten EMI-Eigenschaften. Der positive Temperaturkoeffizient der Sättigungsspannung im Verbund mit einer geringen Exemplarstreuung sorgt für mehr Sicherheit bei der Parallelschaltung mehrerer IGBTs in Anwendungen mit hoher Leistung.