Reinhold Theurer, Director Sales Central Europe bei International Rectifier: "GaNpowIR ist eine revolutionäre Leistungs-Technologie auf Gallium-Nitrid-Basis, deren Leistungsdaten bis zu zehnmal so gut sind wie bei den besten Technologie-Plattformen auf Si

Reinhold Theurer, Director Sales Central Europe bei International Rectifier: „GaNpowIR ist eine revolutionäre Leistungs-Technologie auf Gallium-Nitrid-Basis, deren Leistungsdaten bis zu zehnmal so gut sind wie bei den besten Technologie-Plattformen auf Si

International Rectifier hat Prototypen seiner neuen, laut Reinhold Theurer, Director Sales Central Europe bei International Rectifier, „revolutionären Leistungs-Technologie auf Gallium-Nitrid-Basis“ vorgestellt, „deren Leistungsdaten bis zu zehnmal so gut sind wie bei den besten Technologie-Plattformen auf Silizium-Basis“. Ende 2009 sollen dann die ersten Serienprodukte auf den Markt kommen.

Die „GaNpowIR“ genannte Technologie-Plattform nutzt einen GaN-on-Si-Hetero-Epitaxie-Prozess auf 150-mm-Siliziumwafern, wobei der Prozess CMOS-kompatibel ist. Damit lassen sich beispielsweise Niederspannungs-DC/DC-Wandler für Point-of-Load-Anwendungen fertigen, die nur ein Drittel der Grundfläche einer herkömmlichen Lösung beanspruchen, weil die Frequenz von 300 kHz auf 1 MHz etwa verdreifacht wurde.

Auch beim RDS(on) soll sich einiges bewegen: Während die nächste Silizium-Generation im Jahr 2010 auf etwa 40 mOhm kommt, sollen es laut Reinhold Theurer bereits bei der ersten GaN-Generation nur etwa 15 mOhm sein – und zwar mit weiter fallender Tendenz. Die für 2011 geplante 2. GaN-Generation soll dann nur noch einen RDS(on) von 10 mOhm, die 3. GaN-Generation zirka 7 mOhm (in 2012) und die für 2014 geplante 4. GaN-Generation gar nur noch unter 5 mOhm aufweisen. (av)