Unter Verwendung einer Ge-Technologie mit HfO2 high-k Dielektrikum und einem direkt geätzten TaN Metalgate Stack ist es IMEC gelungen, einen Ge-MOS Transistor mit Submicron-Abmessungen (32nm) zu fertigen. Er hat gegenüber Si eine 3mal höhere Elektronenmobilität. Da die Gitterkonstante vergleichbar mit GaAs ist, lassen sich auf einfache Weise optische und elektronische Komponenten auf einem Chip realisieren.