Das Unternehmen plante ursprünglich, ab 2009 dieses Verfahren für die Serienproduktion von Chips in 32-nm-Technologie einzusetzen. Stattdessen will Intel nun ? wie andere auch ? auf die “nassen” Immersionslinsen mit hohem Brechungsindex setzen, mit denen die herkömmlichen 193-nm-Belichtungstools auch noch 32-nm-Chipstrukturen bewältigen können. Andere Hersteller, wie TSMC und Toshiba sehen das ähnlich: Toshiba hat ein erstes Immersion-Lithografiesystem von Nikon geliefert bekommen. Einen weiteren Anstoß könnten neue Forschungsergebnisse des IBM Forschungslabors Almaden (San Jose, Kalifornien) gegeben haben. Die Forscher dort konnten erstmals zeigen, dass man mit der heute üblichen “Deep Ultraviolet Lithography” (DUV, 193 nm Wellenlänge) auch noch unter die vorhergesagte Grenze von 32 nm Strukturen kommen kann. Es gelang ihnen, gleichmäßige Muster auch noch mit 29,9-nm-Strukturen zu realisieren (Bild: IBM Almaden). Die von IBM verwendete “NEMO”-Technik nutzt zwei Laserstrahlen, um feinste Hell/Dunkel-Interferenzen zu erzeugen. ASML, einer der Protagonisten der EUV-Technologie, sieht sich mit seinem Alpha Demo Tool aber weiterhin auf zeitlichem Kurs, was die 45-nm-Chiptechnologie angeht. Die koreanischen Chiphersteller Samsung und Hynix setzen ebenfalls weiter auf die “trockene” 193-nm-Doppelbelichtung für 45-nm-Strukturen.
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