Eingebaut im drahtlosen Energiemanagement-Stecker der Plogg-Serie sorgt der F-RAM-Baustein FM25L512 für Nodelay-Schreibvorgänge und niedrigen Stromverbrauch. Dazu kommt die praktisch unbegrenzte Betriebslebensdauer von rd. 100.000 Mrd. Schreibzyklen. EEPROM dagegen kommen auf weniger als eine Mio. Zyklen und haben einen höheren Energieverbrauch. Der Baustein bietet über ein SPI Zugriff auf 512 kb nichtflüchtiges RAM und liest und schreibt kontinuierlich mit einer Busgeschwindigkeit bis 20 MHz. Gekapselt im bleifreien SOIC- oder TDFN-8 arbeitet der Chip im gesamten industriellen Temperaturbereich.