Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine.

Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine. Texas Instruments

Der Halbbrücken-Leistungsbaustein LMG5200 von Texas Instruments  schaltet 80 V und basiert auf GaN-Leistungs-FETs (Gallium Nitrid), die keinen Reverse-Recovery-Strom (Qrr) und eine sehr geringe Gate-Kapazität aufweisen. Damit solche Leistungshalbleiter Schaltgeschwindigkeiten von 50 V/ns erreichen können, gibt es einige essenzielle Kriterien bei der Layout-Erstellung zu berücksichtigen, welche TI den Entwicklern als Applikationsnotiz an die Hand gibt. Wesentliche Punkte sind eine ausreichende Wärmeableitung, die Minimierung von parasitären Induktivitäten der Leiterbahnen und eine optimale Platzierung von Stützkondensatoren. Das PDF können Sie unter infoDIREKT herunterladen, weiterführende Dokumentation zum LMG5200 wie auch zur Einzel-FET-Variante LMG3410 (600 V, 12 A) finden Sie auf den Webseiten von TI.