Der GaN-on-Si-Leistungstransistor liefert eine maximale gepulste Leistung von bis zu 500 W. Das Bauelement besitzt eine Energieeffizienz von über 70 % im gepulsten Betrieb bei 50 V und ist in einem platzsparenden Keramikgehäuse mit Flansch untergebracht. Damit unterstützt das Bauteil die Minimierung der Schaltungsgröße und hilft bei der Realisierung robuster und kompakter Radarsysteme mit effizienten und vereinfachten Kühlungs- und Stromversorgungs-Architekturen.

GaNonSi-Leistungstransistor

Der GaN-on-Si-Leistungstransistor von Macom liefert eine maximale gepulste Leistung von bis zu 500 W. Macom