Globalfoundries stärkt den Produktionsstandort Dresden durch Erhöhung der Kapazität der Fab 1 sowie den Zuschlag für die Entwicklung der 12-FDX-Technologie.

Globalfoundries stärkt den Produktionsstandort Dresden durch Erhöhung der Kapazität der Fab 1 sowie den Zuschlag für die Entwicklung der 12-FDX-Technologie. (Bild: Globalfoundries)

In der Halbleiterbranche wechseln sich Wachstumsperioden und magere Zeiten ab. Noch 2015 hatte Globalfoundries angekündigt, bis zu 800 der 3700 Arbeitsplätze am Standort Dresden abbauen zu wollen. Jetzt will das Unternehmen den Standort erheblich ausbauen. Bis 2020 soll die Produktionskapazität der Fab 1 um 40 Prozent auf etwa eine Million Wafer pro Jahr erhöht werden.

Der Grund für die Expansion sei die weltweit wachsende Kundennachfrage nach Produkten für das Internet der Dinge (IoT), Smartphone-Prozessoren, Automobilelektronik und andere batteriebetriebene drahtlose Anwendungen. Allein in Dresden sollen mehr als 1,5 Milliarden Euro investiert werden. Zusätzlich sind Fördermittel eingeplant. Wie hoch die Investitionssumme ausfällt, werde nach Abschluss der Verhandlungen mit Land, Bund und EU bekanntgegeben, erklärte Geschäftsführer Rutger Wijburg.

In der Fab 1 in Dresden werden Chips mit der 22-FDX-22-nm-FD-SOI-Technologie gefertigt. Globalfoundries will den Standort weiterhin als Zentrum der FDX-Technologieentwicklung stärken. Dresdner Ingenieure haben laut Firmenangaben bereits mit der Entwicklung der nächsten Technologiegeneration 12-FDX begonnen. Erste Kundenprodukte sollen Mitte 2018 unterstützt werden.

Die Nachricht über die Investitionen am Standort Dresden löste besonders beim Branchenverband Silicon Saxony Freude aus. „Wir sind begeistert. Das ist eine unglaublich gute Nachricht. Eine Investition in dieser Größenordnung ist ein starkes Bekenntnis zum Produktionsstandort Deutschland und kommt genau zur richtigen Zeit.“ erklärte Vorstand Hein Martin Esser. Auch Ministerpräsident Stanislaw Tillich freute sich, dass Sachsen das Internet der Dinge weiter mitgestalten werde.

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Leading-Edge-Entwicklung in den USA und Neubau in China

Die Entwicklung der 7-nm-Leading-Edge-Technologien sowie der EUV-Lithographie verbleiben am Standort Malta im Bundesstaat New York. Dort soll Produktionskapazität um 20 Prozent angehoben werden.

Die Entwicklung der 7-nm-Leading-Edge-Technologien sowie der EUV-Lithographie verbleiben am Standort Malta im Bundesstaat New York. Dort soll die Produktionskapazität um 20 Prozent angehoben werden. Globalfoundries

In den USA plant Globalfoundries, seine 14 nm Fin-FET-Kapazität am Standort Fab 8 in Malta (Bundesstaat New York) um 20 Prozent zu erweitern. Die Produktionskapazität soll voraussichtlich Anfang 2018 bereit stehen. New York bleibt auch weiterhin das Entwicklungszentrum für die 7-nm-Technologie sowie die EUV-Lithographie.

In China geht Globalfoundries eine Partnerschaft mit der Stadt Chengdu ein. Geplant ist der Bau einer 300-mm-Fab, um den wachsenden Halbleitermarkt in China zu unterstützen und die steigende globale Nachfrage nach 22-FDX zu bedienen. Die Fab wird ab 2018 zunächst Mainstream-Prozesstechnologien fertigen und danach den Schwerpunkt auf die Fertigung der 22-FDX-Technologie legen. Der Start der Volumenproduktion wird für 2019 erwartet.

In Singapur will GF die 40-nm-Kapazität seiner 300-mm-Fab um 35 Prozent erhöhen und gleichzeitig die 180-nm-Fertigung in seinen 200-mm-Werken erweitern. Das Unternehmen plant außerdem neue Kapazitäten für die Fertigung der RF-SOI-Technologie.

(na)

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