Halbleiter der nächsten Generationen

Infineon Technologies, Advanced Micro Devices und DuPont Photomasks werden gemeinsam ein neues Maskenzentrum in Dresden errichten. In dem Maskenzentrum werden lithographische Masken der nächsten Generationen entwickelt und in Musterstückzahlen hergestellt, mit denen Wafer belichtet werden. Die drei Unternehmen gründen dazu ein Joint Venture unter dem Namen Advanced Mask Technology Center, an dem die Kooperationspartner zu je einem Drittel beteiligt sind. Im gleichen Gebäudekomplex will DuPont Photomasks die Volumenproduktion von lithographischen Masken durchführen und wird dafür ein eigenes Unternehmen gründen.
Lithographische Masken sind ein integraler Bestandteil im Belichtungsprozess für die Halbleiterfertigung. Diese hoch präzisen Masken, basierend auf einem Quarz- oder Glassubstrat, beinhalten ein genaues Abbild der integrierten Schaltung (bzw. des Chips) und werden als Vorlage für die optische Umsetzung dieser Schaltungsbilder auf die Siliziumscheibe genutzt. Moderne Lithographiegeräte wie DUV(= DeepUltraviolett)-Stepper und -Scanner projizieren Licht durch die Linsen mit einstellbarer Blende und die lithographische Maske. Das Licht, in der Regel im UV-Bereich, zeichnet dabei eine Abbild des Chip-Designs ? das Raster der lithographischen Maske ? auf eine Siliziumscheibe, die wiederum mit einem lichtempfindlichen Material (Photolack) beschichtet ist. Bei einem Negativ-Photolack wird dann der unbelichtete, von der Maske abgedeckte Photolack entfernt, sodass Strukturen hineingeätzt oder anderes Material durch Diffusion aufgebracht werden kann. Die Chips werden Schicht für Schicht gefertigt, indem diese Belichtungs- und selektiven Abtragungs-/Auftragungs-Vorgänge mehrfach wiederholt werden, bis der Schaltkreis fertig ist. Die derzeitige Halbleiter-Generation benötigt 25 oder mehr Photo-Ebenen, wobei jede Schicht eine eigene lithographische Maske erfordert.

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