Philips Semiconductors hat die dritte Generation der TrenchMOS-Technologie angekündigt, die eine weitere Miniaturisierung des Zellabstandes ermöglicht. Diese Hochleistungslösung verwendet Sub-Micron-Prozesse, um Verbesserungen der Zelldichte und Leistungssteigerungen zu liefern. Produktdesigner können damit die Leistung von MOSFETs an die Anforderungen jeder Applikation anpassen.


Diese Generation der Technologie ist für eine Reihe von Applikationen maßgeschneidert, u.a. Gleichspannungswandlung, Spannungsregelung und SyncFETs. Minimale Schaltverluste machen die Lösung ideal für primäre Gleichstromwandlung und VRM-ControlFETs. Ein niedriger Drain-Source-Widerstand (Rds) ermöglicht eine effiziente sekundäre Gleichstromwandlung. Außerdem ist die Lösung sehr robust, so dass sie in schwierigen Umgebungen, wie z.B. in Automobilapplikationen, eingesetzt werden kann. Die jüngste TrenchMOS-Generation ermöglicht den Kunden die Herstellung von Sub-200V-MOS-Bausteinen, die für alle Applikationen optimiert sind.


Die ersten Produkte, die auf den Markt kommen werden, sind die 25V- und 30V-Versionen. Diese Produkte liefern Lösungen für zeitgemäße VRM-Applikationen auf Motherboards und ermöglichen damit den Kunden, die Leistungsanforderungen von Pentium 4 und Mikroprozessoren kommender Generationen zu erfüllen.


Die neue Technologie bietet einen niedrigeren spezifischen Widerstand (bei 30 V wurde eine 40prozentige Verringerung erreicht), dadurch sinkt er auf 22 mΩ/mm2 . Außerdem hat der neue Prozess eine Steigerung der Zelldichte auf 50 Millionen Zellen pro Quadratzoll ermöglicht. Trenchbreiten im Sub-Mikronbereich reduzieren die Gate-Drain-Kapazität und ermöglichen dadurch eine geringe Gate-Ladung; die Robustheit konnte ebenfalls um 20 % erhöht werden. Unter gelöster induktiver Energieschaltung kann eine Spitzenleistung von 1 kW/mm jetzt für Impulse von bis zu 0,1 ms verwendet werden.