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Die RF Photomos im so genannten SON-Gehäuse punkten mit kompakten Maßen von 2,2 x 2,95 x 1,4mm. Zusammen mit der Leadless-Anschlusstechnik, die ohne herausgeführte Anschlusspins auskommt, ergibt sich eine verbesserte Packungsdichte auf der Leiterplatte. Die Relais verfügen über eine typische Ausgangskapazität von 1,1pF und einen Übergangswiderstand von 5,5 ?. Sie haben schnelle Ansprechzeiten von typ.20µs, eine Isolation von 200 VAC und einen Leckstrom von 0,01 nA. Die maximale Schaltleistung liegt bei 25 V AC/ 150 mA. Einsatzbereiche: Messtechnik, wie Multiplexsysteme mit hohen Abtastraten.

VORTEIL Die Bauteile glänzen durch eine hohe Packungsdichte auf der Leiterplatte, hohe Zuverlässigkeit und damit längere Lebensdauer, was sich positiv bei den Gesamtkosten bemerkbar macht.