12679.jpg

Fujitsu hat einen HEMT entwickelt, der auf Galliumnitrid basiert und über eine Ausgangsleistung von 100W verfügt. Vorteil: Der Hochfrequenztransistor lässt sich im Stand-by-Betrieb einfach abschalten, was für erhebliche Energieeinsparungen sorgt. Ursache ist seine technologische Dreischicht-Sandwich-Struktur: Der Tran-sistor arbeitet an der Gateelektrode nur mit positiven Spannungen und nicht wie bisher üblich mit einer negativen Spannung. Der HEMT lässt sich im Bereich von 30 MHz bis 300 GHz einsetzen.

Vorteil Lässt sich im Standby-Modus abschalten und sorgt so für Energieeinsparungen.