Cree hat neue GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) speziell für den Einsatz in Radarsystemen entwickelt. Der CGHV59350 ist mit 350 W und 50 Ω Impedanzanpassung einer der leistungsstärksten C-Band-Transistoren auf dem Markt. Der CGHV31500F leistet 500 W an 50 Ω und ist einer der leistungsstärksten S-Band-Transistoren in einem Single-Ended-Gehäuse dieser Größe.

Die beiden GaN-HEMTs im 18mm x 23mm großen Keramik-Metallflansch-Gehäuse leisten bei Bandbreiten von 2,7 bis 5,9 GHz 300 W und 500 W an 50 Ohm.

Die beiden GaN-HEMTs im 18mm x 23mm großen Keramik-Metallflansch-Gehäuse leisten bei Bandbreiten von 2,7 bis 5,9 GHz 300 W und 500 W an 50 Ohm.Cree

„Die neuen C- und S-Band-Produkte von Cree stellen in Hinblick auf Leistung und Wirkungsgrad von GaN-Bausteinen in kleinen 50-Ω-Gehäusen neue Rekorde auf. Diese Kombination aus Effizienz und Leistung ermöglicht einen wirtschaftlichen Einsatz der Transistoren in Leistungsverstärkern mehrerer Kilowatt in Radarsystemen für militärische und meteorologische Anwendungen sowie die Luftverkehrsüberwachung“, sagt Tom Dekker, Director of Sales and Marketing bei Cree RF. „Betrachtet man die HF-Ausgangsleistung bezogen auf die Fläche eines 50-Ω-Gehäuses, so übertrifft der 350 W C-Band-Baustein von Cree das nächste konkurrierende kommerzielle GaN-Produkt um einen geschätzten Faktor von 3,5. Bezogen auf das gleiche Bewertungskriterium ist der 500 W S-Band-Baustein von Cree um 45 % besser als andere kommerzielle S-Band-Produkte.“

Mit einer gesättigten Impulsleistung von über 400 W kommt der CGHV59350 hauptsächlich in bodengestützten militärischen und Doppler-Wetter-Radarsystemen zum Einsatz. Der vollständig auf 50 Ω angepasste GaN-HEMT arbeitet über eine Bandbreite von 5,2 bis 5,9 GHz und erreicht eine typische Drain-Effizienz von 60 %. Er ist in ein 18mm x 23mm großes Keramik-Metallflansch-Gehäuse integriert.

Der CGHV31500F eignet sich mit einer typischen gesättigten HF-Impulsleistung von 700 W für Radarsysteme in der Luftverkehrsüberwachung. Der vollständig auf 50 Ω angepasste GaN-HEMT im 18mm x 23mm großen Keramik-Gehäuse bietet bei einer Bandbreite von 2,7 bis 3,1 GHz eine Leistungsverstärkung von bis zu 12 dB.