HF-Leistungstransistoren

Die Serie PD5xxxx besteht aus zehn Bauelementen auf der Basis der LDMOS 1-GHz-Technologie von STMicroelectronics. Die Palette reicht vom PD54003 (7 V, P1-dB = 3 W) für 520 MHz bis zum PD57045 (28 V, P1-dB = 45 W) für 945 MHz. Die Nennspannungen der Transistoren sind auf die Belange verschiedener Anwendungen im Bereich persönlicher drahtloser Kommunikationsgeräte abgestimmt (28 V für Basisstationen, 12 V für mobile Einrichtungen und 7,5 V für tragbare Geräte).
Die Serie basiert auf der modernen LDMOS-Technologie (Lateral Diffused MOS) und ist mit dem Kunststoffgehäuse des Typs PowerSO-10RF ausgestattet. Im Unterschied zur konventionellen DMOS-Technologie benötigt LDMOS keinen Isolator für die Isolation zwischen Drain und Masse. Hierdurch verbessern sich nicht nur die elektrischen und thermischen Eigenschaften erheblich, sondern anstelle der üblichen Keramikgehäuse kann auch ein kosteneffektives, oberflächenmontierbares Kunststoffgehäuse zum Einsatz kommen. Überdies zeichnen sich LDMOS-Transistoren durch hohe Verstärkung und ausgezeichnete Linearitätseigenschaften aus. Das Gehäuse des Typs PowerSO-10RF ist eine für HF-Applikationen abgewandelte Version des JEDEC-gemäßen Gehäusetyps PowerSO-10. Anstelle der lateralen Pins des PowerSO-10 sind zwei großzügig dimensionierte Anschlüsse vorhanden, die hohe Ströme zulassen und sich durch minimale Streuinduktivität auszeichnen. Außerdem sind die Leadframes kleiner ausgeführt und gekröpft, um mit möglichst kurzen Bonddrähten auszukommen und die resultierenden Streuinduktivitäten zu minimieren. Mit diesen Eigenschaften eignet sich das PowerSO-10RF ausgezeichnet für Anwendungen bis 1 GHz und mehr. Die hohe Wärmeleitfähigkeit lässt Sperrschichttemperaturen bis 165 °C zu und erlaubt eine Verlustleistung bis 150 W. Je nach Verlustleistung sind die Produkte der PD5xxxx-Familie mit geraden oder gebogenen Anschlüssen lieferbar.

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