High Power IGBTs

Mitel Semiconductor hat seine Produktreihe an High Power IGBTs erweitert. Bei den 1.200-V-Modulen werden jetzt auch schnelle NPT-Typen mit Nennströmen von 200 bis 1.600 A gefertigt; ausgeführt als Einzelschalter oder als Halbbrücke. Die statischen und dynamischen Eigenschaften der 1.600-V-IGBTs wurden verbessert und zudem die Sperrspannung auf 1.800 V erhöht. Die 1.800 V-Module gibt es mit Nennströmen von 150 bis 2.400 A; ausgeführt als Einzelschalter oder als Halbbrücke. Nach oben abgerundet wurde das Programm durch Module mit 3.300 V Sperrspannung. Es werden zwei Einzelschalter mit 800 und 1.200 A, sowie eine Halbbrücke mit 400 A angeboten.

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