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Microsemi präsentiert mit dem ARF301 einen 500-Volt-P-Channel-Hochfrequenz-Mosfet mit 300 Watt Ausgangsleistung, der sich insbesondere für den Einsatz in industriellen, wissenschaftlichen und medizintechnischen Anwendungen (ISM-Anwendungen) sowie Plasma-Applikationen eignet. Besonderheit: Der Hersteller konnte die Treiberschaltung in Hochspannungsschaltungen von Halb- und Vollbrückende-signs optimieren und zwar durch die Elimination der komplexen Isolierung. Die Komponente ist für 27,12 Megahertz bei 500 Volt ausgelegt und im robusten T11 flanschlosen HF-Gehäuse untergebracht, dass durch einen minimierten Wärmewiderstand glänzt. Bisher waren hocheffiziente Hochfrequenz-Brückendesigns im Hochleistungsbereich darauf beschränkt, N-Channel-Mosfets als Leistungsschalter zu nutzen, weil er als einzige Baustein diesen Leistungs- und Frequenzbereich händeln konnte. Mit dem ARF301 können Entwickler nun in komplexen Hochleistungs-Hochfrequenz-Brückendesigns einen P-Channel-Mosfet einsetzen, wo N-Channel-Mosfets nicht mithalten können. Um den Wirkungsgrad der Brücke zu erhöhen, sollten der Schalter im niedrigen und der im hohen Leistungs-bereich in Performanz und Eingangskapazität miteinander harmonieren. Darüber hinaus stellt der amerikanische Hersteller mit dem ARF300 einen N-Channel-Mosfet zur Verfügung, der sich ideal mit demARF301 in ISM-und Plasma-Anwendungen kombinieren lässt. Die Ciss-, Coss- und Crss-Werte beider Mosfets sind nahezu indentisch. Vorteile der Kombination beider Leistungsbausteine: ein vereinfachtes HF-Design, höhere Wirkunsgrade und größere Leistungsdichten. Der Hersteller bietet den ARF301 zum Preis von 80,96 US-Dollar bei einer Mindestabnahme von 500 Stück an.

Vorteil: Der Leistungsbaustein vereinfacht das Design von ISM- und Plasmaanwendungen, sorgt zudem für höhere Wirkungsgrade und größere Leistungsdichten. Sprich niedrigere Kosten durch eine höhere Effizienz.