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Die Gate-Treiber Hades v2 haben ein hermetisch versiegeltes Gehäuse und verkraftet Extremtemperaturen bis zu +225 °C.
Der Chipsatz besteht aus folgenden drei ICs: Hades2P auf Primärseite; Hades2S auf Sekundärseite und der Quad-Diode Elara.

Hades v2 kommt in hermetisch versiegelten Gehäusen und verkraftet Extremtemperaturen bis zu +225 °C. Damit bietet sich der Einsatz der Gatetreiber in rauen Umgebungen an, etwa in den Bereichen Luft-/Raumfahrtechnik, Automotive, Industrie, Öl- und Gasförderung. Auch Kunststoffgehäuse sind erhältlich für Systeme, die eine lange Lebensdauer erfordern und Temperaturen nicht über +175 °C aufweisen.

Die Treiber steuern die Gates von Leistungsschaltern in einer isolierten High-Voltage-Halbbrücke. Der Chipsatz besteht aus drei ICs: Hades2P auf Primärseite; Hades2S auf Sekundärseite und der Quad-Diode Elara. Sowohl das Primärkreis- als auch das Sekundärkreis-IC befinden sich in einem Keramik-QFP mit 32 Pins oder einem Kunststoff-QFP mit 44 Pins. Das primärseitige IC enthält einen Current-Mode-Flyback-Controller mit integriertem 0,8 W/80 V-Schalter, konfigurierbares Non-Overlapping und Fehlermanagement durch Abschaltung bei Unterspannung (UVLO). Hinzu kommt ein isolierter vierkanaliger Signaltransceiver für PWM und Fehlersignalübertragung zur oder von der Sekundärseite über kleine Impulstransformatoren.

Die beiden sekundärseitigen ICs (je eines für die High- und Low-side) enthalten einen 12-A-Treiber, UVLO, Fehlererkennungskreise für Entsättigung und Übertemperaturschutz sowie einen isolierten zweikanaligen Signaltransceiver. Ein Evaluierungskit demonstriert eine Halbbrücke auf Basis des Hades v2 und zweier SiC-MOSFETs Neptune mit 10 A/1200 V. Es enthält ein Demoboard mit der Halbbrücke und die vollständige Dokumentation. Die Integration des Chipsatzes in IPMs (Intelligent Power Modules) erhöht die Leistungsdichte von Wandlern und sorgt für einen zuverlässigeren Betrieb bei hohen Temperaturen. So erhöht sich die Lebensdauer in Anwendungen mit +100 bis +175 °C Umgebungstemperatur auf Jahrzehnte oder in Anwendungen mit Temperaturen von +175 bis +225 °C auf Tausende von Stunden.