Leistungstransistoren MAGb: GaN-Leistung zu LDMOS-Kosten

Leistungstransistoren MAGb: GaN-Leistung zu LDMOS-Kosten Macom

Zu den ersten Produkten der Serie gehören Single-Ended-Transistoren, die in kleinen Gehäusen Spitzenleistungen bis zu 400 W unterstützen, Doppeltransistoren sowie Doherty-Konfiguration als Single-Package-Ausführung für Spitzenleistungen bis zu 700 W in Symmetric- und Asymmetric-Power-Optionen. Gegenüber älteren LDMOS-Lösungen ist die Energieeffizienz um 10 % gestiegen, während die Gehäuseabmessungen mehr als 15 % kleiner sind. Darüber hinaus decken die Leistungstransistoren einen deutlich größeren Frequenzbereich ab und sind für sämtliche Mobilfunkbänder im Bereich von 1,8 bis 3,8 GHz geeignet.