Der I3T80 gehört zu den ersten Bausteinen der Mixed-Signal-Technologie-Reihe I3T von AMIS. Diese Technologie erlaubt es Entwicklern, die Bauteilanzahl, den Platzbedarf und die Kosten ihres Designs zu reduzieren, indem komplexe digitale Schaltkreise, Embedded-Mikroprozessoren und Hochspannungsfunktionalität in einem einzigen Chip integriert werden können. Die I3T80-ASIC-Technologie von AMIS eignet sich für den Einsatz in der Kfz-Elektronik und anderen Designs, die höhere Spannungen verwenden. Die Technologie ermöglicht die Herstellung der industrieweit ersten 0,35-µm-CMOS-„Smart-Power“-System-on-Chip-(SoC)-Lösungen für Spannungen bis zu 80 V.


I3T80 erlaubt das Design von Smart-Power-SoC-Bausteinen, die eine Gattergesamtzahl von bis zu 150.000 aufweisen können. Solche Chips können dann Schaltkreise für hohe Spannungen beinhalten, wie sie z.B. für Motorsteuerungen und DC-DC-Wandler notwendig sind sowie hochpräzise Analogschaltkreise einschließlich Bandabstandsfilter, A/D- und D/A-Wandler. Die verfügbaren IP-Blöcke decken PLLs, USB-Schnittstellen, Bus-Protokoll-Controller und Controller für CAN- und LIN-Verbindungen ab. Außerdem können auch ROM- und RAM-Speicherlösungen mit hinzugefügt werden. Ein kostengünstiger OTP-(One-Time-Programmable-)Speicher steht derzeit zur Verfügung; ein hochdichter Flashspeicher wird ab Anfang 2003 bereitgestellt. Optionen für einen Embedded-Mikroprozessor bieten sich durch ARM7TDMI- und 8051-Cores.