Neben dem berühmten Schloss in Unterpremstätten nahe Graz, dem Ursprung von austriamicrosystems, die moderne Waferfab mit der 8-Zoll-Linie für den  120V 0,35 µm Hochvolt-CMOS Prozess.

Neben dem berühmten Schloss in Unterpremstätten nahe Graz, dem Ursprung von austriamicrosystems, die moderne Waferfab mit der 8-Zoll-Linie für den 120V 0,35 µm Hochvolt-CMOS Prozess. austriamicrosystems AG

Gleichzeitig wurde der Produktionsstart mit dem neuen 0,18-µm-HV-CMOS Prozess bekannt gegeben. Der H35 benannte 20 V bis 120 V 0,35 µm Hochvolt-CMOS Prozess wurde bereits 2006 eingeführt und ermöglicht die Fertigung von 3,3 V, 5 V, 20 V, 50 V und 120 V NMOS- sowie PMOS-Halbleitern ohne Prozessänderungen auf einem Chip.
Der H35 ist der erste reine CMOS basierte High-Voltage Foundryprocess mit BCD-Performance und Chipgröße bei niedriger Prozesskomplexität. Diese wird mit nur drei zusätzlichen Masken nach dem CMOS-Prozess erreicht. Seine Modularität ermöglicht 100 % Reuse von low voltage CMOS Design IP. Er bietet voll skalierbare NMOS- und PMOS-Bauteile und sehr niedrige On-Widerstände.
Damit ist er eine gute Lösung für fabless Designhäuser und IDMs, die sich mit Senso interfaces, Power over Ethernet, Motorcontrollern und automotive Applikationen befassen. Seit vier Jahren wird der Prozess in der Volumenproduktion verwendet, er läuft in Unterpremstätten auf einer 8-Zoll-Linie und identisch auch beim Partner TSMC. austriamicrosystems liefert für den H35 sein Industry Benchmark Design Environment (HIT-Kit). HIT-Kit wird geliefert mit kompletten Si-validierten Digitallibraries, I/O. Libraries die den militärischen ESD und JEDEC Latch-up Standards mit I/O-Pads mit 8 kV HBM entsprechen und eine 250 mA Latch-up Immunität aufweisen.
Ebenfalls im März kündigte austriamicrosystems den Start der Massenfertigung auf einem 0,18µm High-Voltage CMOS Process genannt H18 an, der zusammen mit IBM entwickelt wurde und der in IBM‘s 200mm Burlington Waferfab gefertigt wird. Der H18 stellt die sechste Generation an HV-CMOS-Prozessen dar. Zu den besonderen Merkmalen des H18 zählt eine neue Dimension bei der Integration von HF- und Hochvolt-Funktionen. Er bietet die höchste Integrationsdichte mit bis zu 118k Gates/mm² und ermöglicht so SoC.