Santa Clara, California (USA), und Lausanne, Schweiz, 2. December 2005: Innovative Silicon Inc. (ISi) hat in einem Fachvortrag anlässlich der SOI Conference des IEEE in Honolulu die Realisierbarkeit seiner Z-RAMÔ- (Zero Capacitor) Embedded-Speicher-Technologie bei FinFET- und TriGate-Geometrien unterhalb 45nm dargelegt. Z-RAM-Speicher-Arrays wurden bereits unter Verwendung von PD- (partially depleted) SOI-Strukturen erfolgreich in Silizium implementiert. Der neue Fachbeitrag von ISi zeigt, dass diese Technologie bis auf 45nm und weniger herabskaliert werden kann.


Bei der kürzlich vorgestellten Z-RAM-Floating-Body-Speicherzelle ersetzt die Body-Kapazität eines SOI-MOSFETs den sonst notwendigen Speicherkondensator. Die im Floating Body gespeicherte Ladung beeinflusst über den Body-Effekt die Schwellenspannung des Bauteils und ermöglicht es dadurch, zwischen zwei Zuständen zu unterscheiden. Die Speicherzelle besteht demnach aus einem einzigen Transistor. Z-RAM-Speicher erreichen deshalb die fünffache Dichte von Embedded-SRAM- und die doppelte Dichte von Embedded-DRAM-Designs.


Das von ISis CTO Pierre Fazan und Mitarbeitern von TI, Infineon, SOITEC und ATDF (einer Tochtergesellschaft von Sematech) verfasste IEEE-Papier beschreibt neue Experimente bei ISi, die die guten Speichererhaltungseigenschaften einer auf CMOS-FinFET- und Tri-Gate-Bauteilen basierenden Z-RAM-Speicherzelle durch Messdaten belegen. Das bedeutet, dass FinFET-basierte Z-RAM-Speicher produzierbar sind und die Herstellung von äußerst preisgünstigen DRAMs und eDRAMs für 45-nm- und Sub-45-nm-Chips ermöglichen.


Pierre Fazan erläutert: “Im vergangenen Sommer haben wir die ersten Chips von der Foundry erhalten. Sie beweisen, dass die Z-RAM-Technologie auf SOI funktioniert. Unser Papier zeigt, dass die Struktur weitgehend skalierbar ist und eine effiziente Speicherlösung für künftige Chips darstellt.”


Über Innovative Silicon Innovative Silicon wurde im Jahr 2002 mit dem Ziel gegründet, eine auf dem Floating-Body-Effekt basierende Speichertechnologie für SoC/MPU-Produkte, wie sie in Handheld-Computern, Spiel­konsolen, Handys, Kameras usw. eingesetzt werden, zu entwickeln und zu vermarkten. Die Firma schloss ihre erste Venture-Kapital-Finanzierungsrunde im Jahr 2003 ab und realisierte im Jahr 2004 ihre ersten Megabit-Z-RAM-Speicher in einem 90-nm-Prozess und im Jahr 2005 ihre ersten 65nm-Designs. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in den USA und unterhält in Lausanne, Schweiz, ein Forschungs- und Entwicklungslabor.


www.z-ram.com