Nach erfolgreichen Kooperationsgesprächen haben Infineon Technologies und Nanya Technology Corporation, Taoyuen/Taiwan, ein unverbindliches Memoradum of Understanding (MoU) über eine Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Im Rahmen des Abkommens werden die beiden Halbleiterhersteller ab Oktober 2002 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam entwickeln und damit die Entwicklungskosten teilen. Die Unternehmen haben zudem vereinbart, ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips zu gründen und ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan zu bauen. In der ersten Ausbaustufe soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen, wobei die Produktion der ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 vorgesehen ist. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Die Transaktion bedarf noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.


Die beiden Unternehmen werden die neue 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnik am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickeln und auch im neuen Gemeinschaftsunternehmen einsetzen. So wird die Produktion der 300-mm-Wafer mit dem neuen 0,09-µm-Prozess im gemeinsamen Werk in Taoyuen Ende 2003 starten. Zudem ist auch vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen.