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Intel

Intel und Micron Technology haben ihre 20-nm-Technologie zur Herstellung von NAND Flash Speichern vorgestellt. Auf dieser Basis kommen vom gemeinsamen NAND Flash Joint Venture IM Flash Technologies (IMFT) 8 GByte große Multi Level Cell (MLC) NAND Flash Speicher auf den Markt. Sie messen gerade einmal 118 mm2. Verglichen mit Intels derzeitigem 25 nm 8 GByte NAND Modell (131 mm2) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.

Mit der stetigen Weiterentwicklung im Bereich moderner Herstellungstechnologien und der darauf folgenden raschen Implementierung in das komplette Fabriknetzwerk hat IM Flash Technologies Vorbildcharakter für die gesamte Fertigungsindustrie. Prototypen der 20 nm 8 GByte Speicher sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GByte NAND Flash Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GByte Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.