Laut einer Studie des Branchendienstes IC Insights könnten die Investitionsaufwendungen für Halbleiter im Jahr 2017 einen Höchststand von 80,9 Milliarden US-Dollar erreichen – eine 20-prozentige Steigerung gegenüber dem Vorjahr. Die Prognose rechnet damit, dass 28 Prozent der Aufwendungen in Wafer-Foundries und 24 Prozent in Upgrades im NAND-Flash-Memory-Bereich gehen werden.

Flash-Memory

Noch steigt die Nachfrage und Investition auf dem Halbleitermarkt massiv, langfristig zeichnet sich jedoch eine Überhitzung ab. IC Insights

Auf DRAM und SRAM entfallen dabei erwartete 16 Prozent der Mittel, allerdings ist hier das Investitionsniveau im Vergleich zu 2016 um satte 53 Prozent gestiegen – der größte Zuwachs innerhalb aller Gruppen. Das Gros der Investitionen ist zwar für technologische Weiterentwicklungen vorgesehen, doch kürzlich gab der DRAM-Hersteller SK Hynix zu, die Nachfrage nicht mehr nur über technologische Verbesserungen befriedigen können, sondern auch in Produktionskapazitäten investieren zu müssen.

Trotz der Preis- und Nachfrageexplosion im DRAM-Bereich rechnet IC Insights damit, dass die Investitionsaufwendungen mit prognostizierten 19 Milliarden US-Dollar im Flash-Memory-Segment am höchsten sein werden: Einen Bärenanteil wird laut der Studie die 3D-NAND-Prozesstechnologie ausmachen, in die zuletzt beispielsweise Samsung mit seiner Megafabrik im südkoreanischen Pyeongtaek im großen Stil investierte.

Langfristig zeichnet sich laut der Studie jedoch eine Überhitzung des 3D-NAND-Markts ab, die zu Überkapazitäten und Preiseinbrüchen führen wird. Nachdem neben Samsung auch SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/San Disk und XMC/Yangtze River planten, ihre Kapazitäten in diesem Segment über die nächsten Jahre hinweg hochzufahren, sei die Gefahr einer Überhitzung hoch.