Im Vergleich zum 2-dimensionalen 32-nm-Transistor benötigt der 22 nm 3D-Tri-Gate-Transistor weniger Schaltstrom, hat aber 37 % höhere Schaltgeschwindigkeit.Intel
Das traditionelle „flache“ zwei-dimensionale Gate wird durch einen sehr dünnen drei-dimensionalen „Grat“ ersetzt, der sich vertikal vom Siliziumsubstrat erhebt. Das Gate der 2D-Planar-Transistoren wird also in die dritte Dimension erweitert und umschließt auch auf den beiden Seiten diesen Grat, was eine bessere Kontrolle des Stromflusses ermöglicht.
Durch den sehr dünnen Grat kann der Transistor schneller als bisher zwischen diesen beiden Zuständen wechseln. Da diese Grate senkrecht in die Höhe zeigen, können die Transistoren enger zusammengefügt werden, was ein wichtiger Punkt für die weitere Einhaltung des Mooreschen Gesetzes ist. Die Massenfertigung von Ivy-Bridge Prozessoren mit den 3D-Transistoren beginnt Ende des Jahres, erste Muster laufen bereits auf Laptops.
(sb)
