Zwei Feldeffekttransistoren mit 2 und 10 W Ausgangsleistung auf einem Chip vereint der in NEWMOS-Techologie gefertigte LDMOS-FET NE55410GR von NEC Electronics (Vertrieb: Gleichmann Electronics).

Der als Treiberbaustein für im Frequenzbereich von 0,1 bis 2,6 GHz eingesetzte Leistungsverstärker konzipierte N-Kanal-Power FET zeichnet sich durch seine sehr hohe thermische Stabilität, einen extrem großen Versorgungsspannungsbereich von 3 bis 32 V und integrierten ESD-Schutz aus. Die lineare Verstärkung liegt bei 13,5 dB (2 W) beziehungsweise 11dB (10 W).

Bei einer Spannung von 28 V zwischen Drain und Source, einer Frequenz von 2140 MHz und einem Betriebsstrom von 20 mA beträgt die Effizienz des kleineren FETs etwa 52 Prozent, die des 10-W-FETs liegt bei gleichen Spannungs- und Frequenzwerten und einem Betriebsstrom von 100 mA bei 46 Prozent. Der in einem bleifreien 16poligen Plastik-HTSSOP untergebrachte NE55410GR eignet sich aufgrund seiner technischen Merkmale ideal als Vorverstärker für Basisstationen und UHF-Band-Applikationen. 458ei1108