Die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie bieten reduzierte Schaltverluste, höhere Effizienz und um bis zu 16 Kelvin reduzierte Bauteiltemperaturen.

Die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie bieten reduzierte Schaltverluste, höhere Effizienz und um bis zu 16 Kelvin reduzierte Bauteiltemperaturen. Infineon

Im Vergleich zu derzeit verwendeten Superjunction-Technologien sollen die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten unterstützen. Davon profitieren vor allem Anwendungen im Bereich Beleuchtung, Audio und Aux sowie TV-Adapter. Mit der jetzigen Technologie sind um 27 bis 50 Prozent reduzierte Schaltverluste (EOSS) möglich. In flyback-basierten Ladegeräten soll damit die Effizienz um bis zu 3,9 Prozent gesteigert werden, während die Temperatur des Bauteils um bis zu 16 Kelvin niedriger ist. Gegenüber der bisherigen 650-V-C6-Technologie verbessert sich damit der Wirkungsgrad um 2,4 Prozent und die Temperatur verringert sich um 12 Kelvin.

Eine integrierte Z-Diode ermöglicht eine höhere ESD-Robustheit bis zur HBM-Klasse 2. Die MOSFETs sollen eine verbesserte Leistungszahl (FOM, RDS(ON) x Qg) aufweisen, was sich vor allem positiv auf die Verlustleistung auswirkt. Die Familie liefert zudem eine zusätzliche Sperrspannung von 50 V. Die Schwellspannung der MOSFETs liegt bei 3 V mit einer Toleranz von ±0,5 V. Damit kann der Transistor mit niedriger Gate-Source-Spannung gesteuert werden, was zu weniger Verlusten im Standbybetrieb führt. Der 700 V CoolMOS P7 MOSFET ist in zahlreichen Kombinationen mit Einschaltwiderständen von 280 mΩ bis 4,5 Ω in IPAK SL, DPAK und TO-220FP-Gehäusen verfügbar.