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„Die Hochfrequenz-Leistungs-Mosfets RQA0010 und RQA0014 bieten die industrieweit höchste Power-Added Efficiency (PAE) und dank der ESD-Immunitätsstufe 4 ein hohes Zuverlässigkeitsniveau“, ist Chris Yates, Account Manager der Mobile Security Business Unit von Renesas Technology Europe im englischen Buckinghamshire von den Vorteilen der Leistungsbausteine überzeugt. Einsatzgebiet: Leistungsverstärker in den Sendestufen drahtlos kommunizierender Handheld-Geräte. Beide Komponenten verstärken das Hochfrequenz-Ausgangssignal auf einen vorgegebenen Pegel, bevor es die Antenne ausstrahlt. „Durch den Umstieg auf einen neuen Fertigungsprozess erreicht Renesas die industrieweit höchste Wirkungsgradklasse“, so Chris Yates. Der hohe Wirkungsgrad spiegelt sich natürlich positiv im Geldbeutel des Anwenders wieder. Während der RQA0010 einen PAE-Wert von 60 Prozent bei 3,6 Volt erreicht, kommt der RQA0014 auf 55 Prozent. Das höchste Leistungsniveau liegt bei 1,2 Watt Ausgangsleistung bei 3,6 Volt, das sich mit einem zweistufigen Verstärker, in dem der RQA0010 vom Ausgang des RQA0014 angesteuert wird, realisieren lässt. „Wir untersuchten für beide Produkte die Mechanismen, die zu ESD-bedingten Schäden führen“, erklärt Renesas“ Experte den Vorgehensprozess. Er setzt fort: „Die Untersuchungsergebnisse führten zur Optimierung der Struktur der Bauelemente an den Stellen, an denen es in der Regel zu Beschädigungen kommt.“ Resultat: Die Bausteine behalten ihren hohen Wirkungsgrad bis 20 Kilovolt bei und bringen es auf die für die Zuverlässigkeit wichtige ESD-Immunitätsstufe 4. Weiterer Pluspunkt: Die Mosfets sind in flachen UPAK-Miniaturgehäusen beheimatet, die durch hervorragende Wärmeableit-Eigenschaften überzeugen. Die Bemusterung der Produkte soll nach Angaben des Herstellers Anfang des vierten Quartals 2008 beginnen.

VORTEIL
Die Bausteine sind durch ihre gute Wärmeableitung, kleinen Maßen und niedrigem Gewicht   für Handheld-Equipment hochinteressant, um Energie und damit bares Geld zu sparen.