Der SiR440DP ergänzt die Vishays Familie an Gen-III-Trenchfet-Leistungsmosfets. Dieser 20-V-n-Kanal-Typ hat einen maximalen On-Widerstand von 2,0m? bei einer Gate-Spannung von 4,5V oder 1,55m? bei 10V. Der FOM beträgt 87 bei 4,5V. Der Baustein eignet sich für den Einsatz als Low-Side-Mosfet in Synchron-Abwärtsreglern und in Sekundär-Synchrongleichrichter- und ODER-Verknüpfungsanwendungen. Er ermöglicht wirkungsgradstärkere platzsparende Designs für VRM oder Systeme, die mit POL-Reglern arbeiten.

VORTEIL Der niedrige On-Widerstand und die niedrige Gate-Ladung sorgen für weniger Durchlass- und Schaltverluste.